[发明专利]一种像素电路及其驱动方法、显示面板

说明书

本发明提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板，所述像素电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一存储电容、第二存储电容以及有机发光二极管。通过在2T1C像素电路上增加一个存储电容，和控制信号电性连接，进而拉低第二薄膜晶体管的栅极电压，使得相同数据信号电压下的像素电路的电流大幅提高，将改像素电路设置在屏下摄像头区域可以很好地降低像素密度，提高屏下摄像头区域的透光率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板。

背景技术

随着科技的不断发展，人们对显示器件的要求越来越高、显示屏技术发展也突飞猛进。现如今“全面屏”的设计成为时代的主流，各屏幕供应商都专注于研发屏占比较高的全面屏产品，提升显示屏屏占比成为一种产品发展的趋势。

目前市面上较多的提高屏占比方案通常将前置摄像头设计在显示屏外侧，通过异形切割设计使显示屏避让一定尺寸来容纳前置摄像头，不论切割设计如何变化，与全面屏概念相差甚远。近期兴起的发光型盲孔屏下摄像头(CUP)处理方案可使显示屏几乎趋近于全面屏效果。

如图1所示，为现有的一种屏下摄像头显示面板的结构示意图，屏下摄像头显示面板90包括从下至上依次层叠设置的柔性衬底层91、阵列基板92、发光层93、封装层94、偏光片95及盖板96。在阵列基板92和偏光片95对应位置设置通孔，形成盲孔97。将摄像头98置于屏幕下方并对应盲孔97设置，即盲孔97和摄像头98所在区域为屏下摄像头区域，通过面板设计与镜头设计的优化，使得镜头隐藏至屏幕的可显示区域下方也能完成拍摄。采用屏下摄像头方案时，为提高屏下摄像头区域的透光率，采用有机发光二极管(OLED)显示屏经典的7T1C电路时，为提高屏下摄像头区域的透光率，需要优化像素设计以降低屏下摄像头区域的像素密度实现局部透明。

在屏下摄像头区域上方搭载2T1C像素电路可以很好地降低像素密度，因摄像头区域面积较小，搭载2T1C像素电路对显示画面影响较小，但目前的2T1C像素电路工作电压不在驱动电路给定的正常数据电压范围内，故屏下摄像头区域搭载传统2T1C像素电路不可取。

屏下摄像头技术中，最影响成像的因素是屏幕的透光率，因此，提高屏下摄像头区域的透光率成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板，通过改变屏下摄像头区域的电路结构，实现提高透光率的效果。

为实现上述目的，本发明提供一种像素电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一存储电容、第二存储电容以及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接扫描信号，第一薄膜晶体管的源极电性连接数据信号，其漏极与第二薄膜晶体管的栅极、第一存储电容的第一端、第二存储电容的第一端电性连接；所述第二薄膜晶体管的源极电性连接电源正电压，漏极电性连接有机发光二极管的阳极；有机发光二极管的阴极电性连接电源负电压；第一存储电容的第一端电性连接第一薄膜晶体管的漏极，第二端电性连接第二薄膜晶体管的源极；第二存储电容的第一端电性连接第一薄膜晶体管的漏极，第二端电性连接控制信号。

进一步地，所述第二存储电容的电容值为所述第一存储电容的电容值的1/7。

进一步地，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的任一种。

进一步地，所述控制信号由外部时序控制器提供。

进一步地，所述第一薄膜晶体管为所述有机发光二极管提供恒定的驱动电流。