[发明专利]高频供给装置和高频电功率的供给方法

权利要求书

1.一种高频供给装置，其特征在于，包括：

将从振荡器供给的高频放大而供给到负载的放大部；

检测从所述放大部供给到所述负载的电流、电压或者电功率的参数的参数检测部；

供给驱动所述放大部的驱动电流的电流供给部；

指令信号输出部，其基于检测到的所述参数，输出改变所述放大部的放大率的指令信号以使得该参数成为目标值；以及

第1异常检测部或者第2异常检测部，其中所述第1异常检测部监视所述指令信号来检测是否存在异常，所述第2异常检测部包含检测所述驱动电流的电流检测部和存储该驱动电流的上限值及下限值的电流数据存储部，并基于该上限值和下限值检测是否存在异常。

2.如权利要求1所述的高频供给装置，其特征在于：

设置有所述第1异常检测部和所述第2异常检测部。

3.如权利要求1或2所述的高频供给装置，其特征在于：

所述放大部包括前级侧的放大部和后级侧的放大部，

用所述指令信号改变所述前级侧的放大部的放大率，

所述电流检测部检测供给到所述后级侧的放大部的驱动电流。

4.如权利要求1至3中任一项所述的高频供给装置，其特征在于：

所述第1异常检测部至少在输出与大于预先设定的所述放大率的上限值的指令信号相应的指令信号时检测为异常。

5.如权利要求4所述的高频供给装置，其特征在于：

对每个所述电功率的目标值，设定所述驱动电流的上限值和下限值、以及大于所述放大率的上限值的放大率所对应的指令信号之中的至少一者。

6.如权利要求1至5中任一项所述的高频供给装置，其特征在于，设置有：

收纳所述放大部的壳体；

检测所述壳体内的温度的温度传感器；和

基于检测到的温度来判断是否存在异常的第3异常检测部。

7.如权利要求6所述的高频供给装置，其特征在于：

所述放大部包含于搭载在基片的集成电路的芯片，所述温度传感器设置于该芯片的表面。

8.如权利要求1至7中任一项所述的高频供给装置，其特征在于：

所述负载是设置于收纳半导体基片并对其进行等离子体处理的处理容器的部件。

9.一种高频电功率的供给方法，其特征在于，包括：

用放大部将从振荡器供给的高频放大而供给到负载的步骤；

检测从所述放大部供给到所述负载的电流、电压或者电功率的参数的步骤；

基于检测到的所述参数，输出改变所述放大部的放大率的指令信号以使得该参数成为目标值的步骤；以及

监视所述指令信号以检测是否存在异常的步骤，或者检测驱动所述放大部的所述驱动电流，基于预先存储于电流数据存储部的该驱动电流的上限值和下限值来检测是否存在异常的步骤。