[发明专利]高频供给装置和高频电功率的供给方法在审

专利信息
申请号: 202010194918.X 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111756338A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 井上三也;芦田光利 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20;G01R31/28;H03F3/189
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;刘芃茜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 高频 供给 装置 电功率 方法
【说明书】:

本发明提供高频供给装置和高频电功率的供给方法。该高频供给装置包括:将从振荡器供给的高频放大而供给到负载的放大部;检测从放大部供给到负载的电流、电压或者电功率的参数的参数检测部;供给驱动放大部的驱动电流的电流供给部;指令信号输出部,其基于检测到的参数,输出改变放大部的放大率的指令信号以使得该参数成为目标值;以及第1异常检测部或者第2异常检测部,其中第1异常检测部监视指令信号来检测是否存在异常,第2异常检测部包含检测驱动电流的电流检测部和存储该驱动电流的上限值及下限值的电流数据存储部,并基于该上限值和下限值检测是否存在异常。本发明能够在供给高频电功率时掌握放大部的劣化或者检测器的异常。

技术领域

本发明涉及高频供给装置和高频电功率的供给方法。

背景技术

已知在半导体器件的制造过程中,例如对基片进行成膜处理、蚀刻处理时,使用等离子体的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置例如将具有用放大器放大了的高频电功率供给到等离子体电极的高频供给装置。而且,例,如对处理容器内供给处理气体,并且对等离子体电极供给高频电功率以在处理容器内形成高频电场,将处理气体等离子体化来对基片进行等离子体处理。

例如专利文献1记载了具有多个并联连接的真空管的高频电源装置。在该高频电源装置中设置有:电压运算部,其计算各真空管的相对于多个真空管的阴极电压的平均值的电压变化率;电流运算部,其计算各真空管的相对于多个真空管的电流的平均值的电流变化率。而且,比较各真空管的电压变化率和电压寿命设定值,并且比较电流变化率和电流寿命设定值,由此判断各真空管是否到达寿命。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2018-143368号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种在供给高频电功率时掌握放大部的劣化或者检测部的异常的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的高频供给装置包括:将从振荡器供给的高频放大而供给到负载的放大部;检测从所述放大部供给到所述负载的电流、电压或者电功率的参数的参数检测部;供给驱动所述放大部的驱动电流的电流供给部;指令信号输出部,其基于检测到的所述参数,输出改变所述放大部的放大率的指令信号以使得该参数成为目标值;以及第1异常检测部或者第2异常检测部,其中所述第1异常检测部监视所述指令信号来检测是否存在异常,所述第2异常检测部包含检测所述驱动电流的电流检测部和存储该驱动电流的上限值及下限值的电流数据存储部,并基于该上限值和下限值检测是否存在异常。

发明效果

依照本发明,能够在供给高频电功率时掌握放大部的劣化或者检测部的异常。

附图说明

图1是表示一个实施方式的高频供给装置的框图。

图2是表示设置于上述高频供给装置的控制器的框图。

图3是表示电功率的目标值所对应的操作量的上限值和下限值的图表。

图4是表示电功率的目标值所对应的电流值的上限值和下限值的图表。

图5是表示具有上述高频供给装置的等离子体处理装置的截面图。

图6是表示另一实施方式的高频供给装置的构成图。

图7是表示电功率的目标值所对应的温度的上限值和下限值的图表。

附图标记说明

1 高频供给装置

2 放大器

3 放大元件

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