[发明专利]用于输入和输出参数优化的设备、存储器和方法在审
申请号: | 202010194934.9 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111951847A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | E·杜赖 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 输入 输出 参数 优化 设备 存储器 方法 | ||
1.一种设备,其包括:
模式寄存器,其被配置成解码模式寄存器设置命令以提供模式寄存器参数的默认值;
移位电路,其被配置成从所述模式寄存器接收所述模式寄存器参数的所述默认值,其中,所述移位电路进一步被配置成基于对应的移位设置信号确定是否调节所述模式寄存器参数的所述默认值,其中,响应于确定调节所述模式寄存器参数的所述默认值,所述移位电路被配置成调节所述模式寄存器参数的所述默认值以提供所述模式寄存器参数的输出值;以及
输入/输出电路,其被配置成接收所述模式寄存器参数的所述输出值,并且响应于所述模式寄存器参数的所述输出值,所述输入/输出电路被配置成设置所述输入/输出电路的对应部分的配置。
2.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括被配置成提供所述对应的移位设置信号的可编程电路。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述可编程电路包含至少一个熔丝,所述熔丝被编程为存储所述对应的移位设置信号的值。
4.根据权利要求2所述的设备,其中,所述可编程电路包含被配置成在初始化操作期间用所述对应的移位设置信号的值进行编程的电路。
5.根据权利要求1所述的设备,其中,响应于确定将所述模式寄存器参数保持在所述默认值,所述移位电路被配置成提供所述模式寄存器参数的所述默认值作为所述模式寄存器参数的所述输出值。
6.根据权利要求1所述的设备,其中,响应于所述确定调节所述模式寄存器参数的所述默认值,所述移位电路被配置成增加所述模式寄存器参数的所述默认值以提供所述模式寄存器参数的所述输出值。
7.根据权利要求1所述的设备,其中,响应于所述确定调节所述模式寄存器参数的所述默认值,所述移位电路被配置成减少所述模式寄存器参数的所述默认值以提供所述模式寄存器参数的所述输出值。
8.根据权利要求1所述的设备,其中,所述模式寄存器参数是片上终结ODT参数,其中,所述输入/输出电路包含ODT电路,所述ODT电路被配置成响应于所述ODT参数的所述输出值,在输出端处设置阻抗。
9.根据权利要求8所述的设备,其中,所述ODT电路包括并联耦合的支路电路,其中,基于所述ODT参数的所述输出值来启用所述支路电路中的一个支路电路。
10.一种存储器,其包括:
可编程电路,其被配置成存储模式寄存器参数的移位设置;
移位电路,其被配置成接收所述模式寄存器参数的第一值,其中,响应于具有第一值的所述移位设置信号,所述移位电路被配置成调节所述模式寄存器参数的所述第一值以提供具有第二值的所述模式寄存器参数,其中,响应于具有第二值的所述移位设置信号,所述移位电路进一步被配置成提供所述模式寄存器参数的所述第一值作为所述模式寄存器参数的所述第二值;以及
耦合到输入/输出端的电路,所述电路被配置成基于所述模式寄存器参数的所述第二值来设置配置。
11.根据权利要求10所述的存储器,其中,所述可编程电路包含被编程为存储所述移位设置的至少一个熔丝或反熔丝。
12.根据权利要求10所述的存储器,其中,所述可编程电路包含被配置成在初始化操作期间被编程为存储所述移位设置的电路。
13.根据权利要求10所述的存储器,其中,响应于具有所述第一值的所述移位设置信号,所述移位电路被配置成增加所述模式寄存器参数的所述第一值以提供具有第二值的所述模式寄存器参数。
14.根据权利要求10所述的存储器,其中,响应于具有所述第一值的所述移位设置信号,所述移位电路被配置成减少所述模式寄存器参数的所述第一值以提供具有所述第二值的所述模式寄存器参数。
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