[发明专利]用于输入和输出参数优化的设备、存储器和方法

说明书

本申请涉及用于输入和输出参数优化的设备、存储器和方法。在一些实施例中，可编程电路被配置成存储模式寄存器参数的移位设置，并且移位电路被配置成接收模式寄存器参数的第一值。响应于具有第一值的移位设置信号，所述移位电路被配置成调节所述模式寄存器参数的所述第一值以提供具有第二值的所述模式寄存器参数。响应于具有第二值的所述移位设置信号，所述移位电路进一步被配置成提供所述模式寄存器参数的所述第一值作为所述模式寄存器参数的所述第二值。耦合到输入/输出端的电路被配置成基于所述模式寄存器参数的所述第二值来设置配置。在一些实例中，所述模式寄存器参数包含片上终结ODT参数，并且所述电路包含ODT电路。

技术领域

本申请总体上涉及存储器和存储器系统。

背景技术

高数据可靠性、高速存储器存取、低功耗和减小的芯片尺寸是半导体存储器所要求的特征。在存储器内，可以基于其中使用存储器的系统来定义某些操作特性。然而，在一些实例中，存储器的一些特性可能受到偏离预期操作的系统的影响。这些差异可能会影响通过数据、命令和/或地址总线与外部装置通信的定时，这可能会影响存储器的可靠性。

发明内容

在本公开中，提供了一种设备。所述设备包括：模式寄存器，其被配置成解码模式寄存器设置命令以提供模式寄存器参数的默认值；移位电路，其被配置成从模式寄存器接收模式寄存器参数的默认值，其中，所述移位电路进一步被配置成基于对应的移位设置信号来确定是否调节模式寄存器参数的默认值；其中，响应于确定调节模式寄存器参数的默认值，移位电路被配置成调节模式寄存器参数的默认值以提供模式寄存器参数的输出值；以及输入/输出电路，其被配置成接收模式寄存器参数的输出值，并且响应于模式寄存器参数的输出值，输入/输出电路被配置成设置输入/输出电路的对应部分的配置。

在本公开中，提供了一种存储器。所述存储器包括：可编程电路，其被配置成存储模式寄存器参数的移位设置；移位电路，其被配置成接收模式寄存器参数的第一值，其中，响应于具有第一值的移位设置信号，移位电路被配置成调节模式寄存器参数的第一值以提供具有第二值的模式寄存器参数；其中，响应于具有第二值的移位设置信号，移位电路进一步被配置成提供模式寄存器参数的第一值作为模式寄存器参数的第二值；以及耦合到输入/输出端的电路，所述电路被配置成基于模式寄存器参数的第二值来设置配置。

在本公开中，提供了一种方法。所述方法包括：在半导体装置的输入/输出电路处接收模式寄存器参数的默认值；在输入/输出电路的移位电路处，基于对应于模式寄存器参数的编程的移位设置信号来确定是否调节模式寄存器参数的默认值；响应于确定调节模式寄存器参数的默认值，调节模式寄存器参数的默认值以提供模式寄存器参数的输出值；以及基于模式寄存器参数的输出值来配置输入/输出电路的电路。

附图说明

图1是根据本公开的实施例的半导体装置的框图。

图2是根据本公开的实施例的半导体装置的一部分的示意性框图。

图3是根据本公开的实施例的用以移位ODT模式寄存器参数的半导体装置的一部分的示意性框图。

图4是根据本公开的实施例的用以移位ODT模式寄存器参数的半导体装置的一部分的示意性框图。

图5是根据本公开的实施例的用于移位模式寄存器参数值的方法的流程图。

具体实施方式

以下阐述了某些细节以提供对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域的技术人员将了解，可以在没有这些特定细节的情况下实践本公开的实施例。此外，本文中所描述的本公开的特定实施例是以实例的方式提供，且不用于将本公开的范围限制于这些特定实施例。在其它情况下，没有详细展示公知的电路、控制信号、定时协议和软件操作，以避免不必要地模糊本公开。