[发明专利]显示设备及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010195112.2 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111725416A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 全容济;禹珉宇;李旺宇 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 宋颖娉;康泉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示 设备 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示设备,包括:

基板;

有机发光层,与所述基板重叠并包括开口;以及

位于所述基板和所述有机发光层之间的带孔绝缘层,其中所述带孔绝缘层包括第一通孔、第一凹槽和第一底切,其中所述开口的位置与所述第一凹槽的位置重叠,其中在所述显示设备的平面视图中,所述第一凹槽围绕所述第一通孔,并且其中在所述显示设备的所述平面视图中,所述第一底切围绕所述第一凹槽。

2.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:

缓冲层,形成在所述基板上;

中间绝缘层,位于所述缓冲层和所述带孔绝缘层之间;以及

栅电极,位于所述中间绝缘层和所述带孔绝缘层之间。

3.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述带孔绝缘层进一步包括第二底切,其中在所述显示设备的所述平面视图中,所述第二底切围绕所述第一通孔,并且其中在所述显示设备的所述平面视图中,所述第一凹槽围绕所述第二底切。

4.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:

晶体管,包括栅电极;以及

中间绝缘层,位于所述基板和所述带孔绝缘层之间,其中所述栅电极位于所述中间绝缘层和所述带孔绝缘层之间,并且其中所述第一底切的壁直接接触所述中间绝缘层。

5.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:

晶体管,包括源电极;以及

中间绝缘层,位于所述基板和所述带孔绝缘层之间,其中所述源电极位于所述带孔绝缘层和所述有机发光层之间,并且其中所述第一底切的壁直接接触所述中间绝缘层。

6.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:

重叠绝缘层,与所述带孔绝缘层重叠,位于所述带孔绝缘层和所述有机发光层之间,并且包括第二凹槽,其中所述第二凹槽直接连接至所述第一凹槽。

7.根据权利要求6所述的显示设备,进一步包括:

晶体管,包括源电极,其中所述源电极位于所述重叠绝缘层和所述有机发光层之间。

8.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:重叠绝缘层,所述重叠绝缘层与所述带孔绝缘层重叠并且位于所述带孔绝缘层与所述有机发光层之间,

其中所述带孔绝缘层进一步包括第二底切,

其中在所述显示设备的所述平面视图中,所述第二底切围绕所述第一通孔,

其中在所述显示设备的所述平面视图中,所述第一凹槽围绕所述第二底切,

其中所述重叠绝缘层包括第二凹槽、第三底切和第四底切,

其中所述第二凹槽的位置与所述第一凹槽的位置重叠,

其中所述第四底切比所述第二凹槽更靠近所述第一通孔,并且

其中所述第二凹槽比所述第三底切更靠近所述第一通孔。

9.根据权利要求8所述的显示设备,进一步包括:

晶体管,包括源电极,其中所述源电极位于所述重叠绝缘层和所述有机发光层之间。

10.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:

晶体管,包括源电极;以及

存储电容器,包括第一电容器电极,

其中所述带孔绝缘层位于所述源电极和所述第一电容器电极中的至少一个与所述有机发光层之间。

11.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:

重叠绝缘层,位于所述带孔绝缘层和所述有机发光层之间,与所述带孔绝缘层重叠,部分地位于所述第一凹槽内部,并且包括附加底切,其中所述附加底切至少部分地位于所述第一凹槽内部。

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