[发明专利]显示设备及其制造方法在审
申请号: | 202010195112.2 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111725416A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 全容济;禹珉宇;李旺宇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示设备及其制造方法。显示设备可以包括:基板;与基板重叠并且包括开口的有机发光层;以及位于基板和有机发光层之间的带孔绝缘层。带孔绝缘层可以包括第一通孔、第一凹槽和第一底切。开口的位置可以与第一凹槽的位置重叠。在显示设备的平面视图中,第一凹槽可以围绕第一通孔。在显示设备的平面视图中,第一底切可以围绕第一凹槽。
技术领域
技术领域涉及显示设备及用于制造该显示设备的方法。
背景技术
显示设备(诸如液晶显示设备或有机发光二极管显示设备)可以包括各种电气/电子元件和/或光学元件。电气/电子元件和/或光学元件可以控制光传输和/或光发射,以使显示设备可以显示图像。
如果污染物(例如湿气和/或氧气)被引入到显示设备中,则电气/电子元件和/或光学元件中的一些的耐久性和/或性能可能会劣化。例如,在有机发光二极管显示设备中,有机发光层的发光效率可能降低。结果,显示设备的图像显示质量可能是不期望的。
发明内容
一些示例实施例可以涉及一种能够防止诸如湿气和/或氧气的潜在污染物流入的显示设备。
一些示例实施例可以涉及制造显示设备的方法。
根据示例实施例,显示设备可以包括:包括显示区域和位于显示区域内的非显示区域的基板、设置在基板上的多个绝缘层、设置在绝缘层上的有机发光层以及设置在非显示区域中并且包括通过去除绝缘层中的至少一个而形成的凹槽和形成在凹槽的侧壁中的底切的底切凹槽。
在示例实施例中,显示设备可以进一步包括:形成在基板上的缓冲层、形成在缓冲层上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上以覆盖形成在第一绝缘层上的栅电极的第二绝缘层、形成在第二绝缘层上以覆盖形成在第二绝缘层上的电容器电极的第三绝缘层、以及形成在第三绝缘层上以覆盖形成在第三绝缘层上的源电极和漏电极的第四绝缘层。
在示例实施例中,底切凹槽可以包括:通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层而形成的凹槽,形成在凹槽的第一侧壁中的第一底切,以及形成在凹槽的面对第一侧壁的第二侧壁中的第二底切。
在示例实施例中,第一底切可以形成在第一侧壁中第一绝缘层和第二绝缘层之间。另外,第二底切可以形成在第二侧壁中第一绝缘层和第二绝缘层之间。
在示例实施例中,第一底切可以形成在凹槽的第一侧壁中第二绝缘层和第三绝缘层之间。另外,第二底切可以形成在凹槽的第二侧壁中第二绝缘层和第三绝缘层之间。
在示例实施例中,底切凹槽可以包括:通过去除第二绝缘层和第三绝缘层形成的凹槽,形成在凹槽的底表面和第一侧壁之间的第一底切,以及形成在凹槽的底表面和面对第一侧壁的第二侧壁之间的第二底切。
在示例实施例中,第一底切可以形成在底表面上的第一绝缘层和第一侧壁上的第二绝缘层之间。另外,第二底切可以形成在底表面上的第一绝缘层和第二侧壁上的第二绝缘层之间。
在示例实施例中,底切凹槽可以进一步包括:形成在第一侧壁中第二绝缘层和第三绝缘层之间的第三底切以及形成在第二侧壁中第二绝缘层和第三绝缘层之间的第四底切。
在示例实施例中,底切凹槽可以包括:通过去除第三绝缘层形成的凹槽,形成在与凹槽的第一侧壁邻近的第二绝缘层下方的第一底切,以及形成在与凹槽的面对第一侧壁的第二侧壁邻近的第二绝缘层下方的第二底切。
在示例实施例中,底切凹槽可以包括:通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层形成的凹槽,形成在凹槽的第一侧壁中第三绝缘层和第四绝缘层之间的第一底切,以及形成在凹槽的面对第一侧壁的第二侧壁中第三绝缘层和第四绝缘层之间的第二底切。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010195112.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:液体分配器和操作这种分配器的方法
- 下一篇:电子设备和电子系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择