[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

第一外延层，位于所述衬底上；

第二外延层，位于所述第一外延层上；

高压器件，位于所述第一外延层与所述第二外延层中；

低压器件，位于所述第二外延层中；以及

第一隔离区，位于所述第一外延层与所述第二外延层中，所述第一隔离区用于隔离所述高压器件和所述低压器件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述低压器件包括：

阱区，位于所述第二外延层中，

其中，所述阱区的掺杂浓度大于所述第二外延层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述低压器件还包括：

第二基区，位于所述阱区中；以及

第二发射区，位于所述第二基区中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述低压器件还包括：

第二埋层，位于所述第一外延层与所述第二外延层之间；以及

第二接触区，位于所述阱区中，并与所述第二埋层相连。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离区包括：

上隔离区，所述低压器件位于所述上隔离区中；以及

下隔离区，位于所述上隔离区下方，并分别与所述上隔离区以及所述衬底相连。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二隔离区，位于所述上隔离区中，并围绕所述低压器件。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述高压器件包括：

第一基区，位于所述第一外延层与所述第二外延层中；以及

第一发射区，位于所述第一基区中。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述高压器件还包括：

第一埋层，位于所述第一外延层与所述衬底之间；以及

第一接触区，位于所述第一外延层与所述第二外延层中，并与所述第一埋层相连。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触区包括：

浅接触区，位于所述第二外延层中；以及

深接触区，位于所述第一外延层与所述第二外延层中，并分别与所述第一埋层以及所述浅接触区相连。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

隔离层，位于所述第二外延层上，并具有多个接触孔；以及

多条引线，位于所述隔离层上，并经由所述接触孔分别与所述浅接触区、所述第一基区、所述第一发射区、所述第二接触区、所述第二基区以及所述第二发射区相连。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离层包括：

第一氧化层，位于所述第二外延层上；

平坦层，位于所述第一氧化层上；

第二氧化层，位于所述平坦层上；以及

第三氧化层，位于所述第二平坦层上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，每条所述引线包括：

第一金属层，位于所述第二氧化层上，一端沿所述第二氧化层表面横向延伸，另一端依次穿过所述平坦层与所述第一氧化层；以及

第二金属层，位于所述第三氧化层上，一端沿所述第三氧化层表面横向延伸，另一端延伸至所述第三氧化层中与所述第一金属层接触。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，还包括钝化层位于所述隔离层上，并覆盖所述多条引线，

其中，所述钝化层具有多个开口，用于暴露至少部分引线。