[发明专利]一种γ-C2 在审
申请号: | 202010197640.1 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111393050A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 王发洲;刘志超;赵思雪;何永佳 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B7/44 | 分类号: | C04B7/44;C04B7/147 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 base sub | ||
1.一种γ-C2S基胶凝材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)按照2.0-2.3的钙硅摩尔比,将钙质原料与硅质原料球磨混合,得到烧成原料,其中,所述钙质原料为石灰石、泥灰岩、钢渣中的一种,所述硅质原料为砂岩、硅石中的一种或多种;
2)将所述烧成原料与质量分数为10%的无水乙醇混合,压制成坯体,烘干后,烧结,自然冷却,得到γ-C2S基胶凝材料。
2.根据权利要求1所述的γ-C2S基胶凝材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中所述钙质原料中氧化钙含量≥50%。
3.根据权利要求1所述的γ-C2S基胶凝材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1)所述硅质原料中二氧化硅含量≥85%。
4.根据权利要求1所述的γ-C2S基胶凝材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中所述烘干的烘干温度为60-105℃。
5.根据权利要求1所述的γ-C2S基胶凝材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中所述压制成坯体的成型压力范围为10-50MPa。
6.根据权利要求1所述的γ-C2S基胶凝材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中所述烧结的烧结工艺为:以10℃/min的升温速率升温至800℃,保温0.5-1h,再以10℃/min的升温速率继续升温至1300-1500℃,保温3-4h。
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