[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置在审

申请号：	202010198691.6	申请日：	2016-12-21
公开（公告）号：	CN111370296A	公开（公告）日：	2020-07-03
发明（设计）人：	渡桥由悟;森谷敦	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67;C23C16/02;C23C16/455;C23C16/52
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	杨宏军
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制造方法衬底处理装置
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件的制造方法，具有：

工序(a)，通过交替地多次进行工序(a1)和工序(a2)从而在衬底上形成晶种层，其中，所述工序(a1)为对衬底供给包含构成待形成的膜的主元素的、卤系的第一处理气体，从而对所述衬底的表面进行保护的工序，所述工序(a2)为对所述衬底供给包含所述主元素的非卤系的第二处理气体，从而在所述衬底的表面上形成所述主元素的晶核的工序，和

工序(b)，对所述衬底供给包含所述主元素的第三处理气体从而在所述晶种层上形成包含所述主元素的膜，

使工序(a1)中的所述衬底存在的空间的压力大于工序(a2)中的所述衬底存在的空间的压力。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，使工序(a2)中的所述衬底存在的空间的压力大于工序(b)中的所述衬底存在的空间的压力。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，将工序(a1)中的所述衬底存在的空间的压力设为400Pa以上1000Pa以下。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，将工序(a2)中的所述衬底存在的空间的压力设为250Pa以上350Pa以下。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，将工序(b)中的所述衬底存在的空间的压力设为30Pa以上200Pa以下。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第二处理气体的热分解温度低于第三处理气体的热分解温度。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在工序(a)中，将所述衬底的温度设为第一温度，

在工序(b)中，将所述衬底的温度设为与所述第一温度同等或比所述第一温度高的第二温度。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，所述第一温度为所述第二处理气体发生热分解的温度，所述第二温度为所述第三处理气体发生热分解的温度。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，所述第一温度为所述第一处理气体及所述第三处理气体不发生热分解、而所述第二处理气体发生热分解的温度，所述第二温度为所述第二处理气体和所述第三处理气体的两方均发生热分解的温度。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述第一处理气体、所述第二处理气体和所述第三处理气体分别包含构成所述膜的主元素。