[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

说明书

本申请涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。能够提高形成于衬底上的膜的膜品质。半导体器件的制造方法具有：通过交替进行对衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，和对所述衬底供给第三处理气体从而在所述晶种层上形成膜的工序，使供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力大于供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力。

本申请是申请日为2016年12月21日、发明名称为“半导体器件的制造方法及衬底处理装置”的中国发明专利申请No.201611192433.7的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。

背景技术

作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时使用卤系的处理气体、非卤系的处理气体，在衬底上进行形成包含硅(Si)等规定元素作为主元素的膜的成膜处理(例如，参见专利文献1～3)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]国际公开第2012/029661号小册子

[专利文献2]日本特开2013-197307号公报

[专利文献3]日本特开2014-067796号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种能够提高形成于衬底上的膜的膜品质的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，具有

通过交替进行对衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，和

对所述衬底供给第三处理气体从而在所述晶种层上形成膜的工序，

使供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力大于供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力。

本申请涉及下述项：

项1、一种半导体器件的制造方法，具有：

通过交替进行对衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，和

对所述衬底供给第三处理气体从而在所述晶种层上形成膜的工序，

使供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力大于供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力。

项2、如项1所述的半导体器件的制造方法，使供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力大于供给所述第三处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力。

项3、如项1所述的半导体器件的制造方法，将供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力设为400Pa以上1000Pa以下。

项4、如项3所述的半导体器件的制造方法，将供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力设为250Pa以上350Pa以下。

项5、如项4所述的半导体器件的制造方法，将供给所述第三处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力设为30Pa以上200Pa以下。

项6、如项1所述的半导体器件的制造方法，所述第二处理气体的热分解温度低于第三处理气体的热分解温度。