[发明专利]籽晶托及降低碳化硅单晶中穿透型位错密度的方法

权利要求书

1.一种籽晶托，其特征在于，包括石墨材质的籽晶托基底，其中：

所述籽晶托基底中用于粘接碳化硅籽晶的表面上开设有多个沟槽；

所述沟槽内填充有与碳化硅的热导率不同的填充材料,以使所述碳化硅籽晶上可以具有多个成核点。

2.根据权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述填充材料的热导率高于石墨的热导率。

3.根据权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托基底上，位于沟槽之间的部分为台面，所述台面的宽度为50-1000μm。

4.根据权利要求3所述的籽晶托，其特征在于，所述台面的宽度为100-400μm。

5.根据权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽垂直于所述碳化硅籽晶的主定位面，所述第二沟槽与所述主定位面的夹角大于或等于0°且小于90°。

6.根据权利要求5所述的籽晶托，其特征在于，所述第二沟槽与所述主定位面的夹角大于或等于0°且小于45°。

7.一种籽晶托，其特征在于，包括石墨材质的籽晶托基底，其中：

所述籽晶托基底包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面用于粘结碳化硅籽晶；

所述第二表面上开设有多个沟槽，所述沟槽内填充有与碳化硅的热导率不同的填充材料,以使所述碳化硅籽晶上可以具有多个成核点。

8.一种籽晶托，其特征在于，包括石墨材质的籽晶托基底，其中：

所述籽晶托基底中用于粘接碳化硅籽晶的表面设有周期性分布的薄膜图案；

用于形成所述薄膜图案的材料的热导率与石墨的热导率不同，以使所述碳化硅籽晶上可以具有多个成核点。

9.一种籽晶托，其特征在于，包括石墨材质的籽晶托基底，其中：

所述籽晶托基底包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面用于粘结碳化硅籽晶；

所述第二表面上设有周期性分布的薄膜图案，用于形成所述薄膜图案的材料的热导率与石墨的热导率不同，以使所述碳化硅籽晶上可以具有多个成核点。

10.一种降低碳化硅单晶中穿透型位错密度的方法，其特征在于，利用权利要求1至9任一所述的籽晶托，所述方法包括：

将碳化硅籽晶通过粘接剂粘接在所述籽晶托上；

将粘接有所述碳化硅籽晶的籽晶托装入生长炉，进行抽真空；

控制生长温度在2000-2400℃、温场为近平微凸温场，使所述碳化硅籽晶上与所述籽晶托上的填充材料所围成的多个图案对应区域或薄膜图案所形成的图案对应区域分别进行成核，并以多个所述成核中心形成的台阶逐渐向外扩展，直至多个所述成核中心连通形成连续层；

升温降压生长，使碳化硅单晶长厚，直至碳化硅单晶的厚度为预设厚度。