[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

位于衬底上的有源图案，所述有源图案包括凹槽，所述凹槽具有“V”形；

位于所述凹槽上的生长阻止图案；

位于所述有源图案的在所述凹槽的相对侧的部分上的栅极结构；

在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的沟道，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构之一；以及

位于所述生长阻止图案上的源/漏层，所述源/漏层接触所述沟道。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏层包括：

位于每个所述沟道的侧壁上的第一外延层；以及

位于所述生长阻止图案上的第二外延层，所述第二外延层与所述第一外延层相邻。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述源/漏层包含掺杂有n型杂质的硅或掺杂有n型杂质的碳化硅，并且

其中，所述第二外延层的杂质浓度大于所述第一外延层的杂质浓度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一外延层具有从每个所述沟道的所述侧壁沿水平方向突出的烛形或椭圆形，所述水平方向平行于所述衬底的所述上表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏层包括：

位于每个所述沟道的侧壁上的第一外延层；

从所述第一外延层沿水平方向突出的第二外延层，所述水平方向平行于所述衬底的所述上表面；以及

位于所述生长阻止图案上的第三外延层，所述第三外延层与所述第二外延层相邻。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述源/漏层包含掺杂有p型杂质的硅锗，并且

其中，所述第三外延层的杂质浓度大于所述第二外延层的杂质浓度，并且所述第二外延层的所述杂质浓度大于所述第一外延层的杂质浓度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第三外延层的锗浓度大于所述第二外延层的锗浓度，并且所述第二外延层的所述锗浓度大于所述第一外延层的锗浓度。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一外延层、所述第二外延层和所述第三外延层均包含掺杂有p型杂质的硅锗，并且

其中，所述源/漏层还包括位于所述第三外延层上的第四外延层，所述第四外延层包含硅。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二外延层具有从所述第一外延层沿水平方向突出的多边形，所述水平方向平行于所述衬底的所述上表面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述生长阻止图案与所述源/漏层之间的第一气隙。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：内间隔物，所述内间隔物位于所述沟道之间的每个所述栅极结构的侧壁上以及所述有源图案的上表面与所述沟道中的最下面的沟道之间的每个所述栅极结构的侧壁上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述内间隔物包含与所述生长阻止图案的材料基本相同的材料。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述内间隔物与所述源/漏层之间的第二气隙。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，位于所述有源图案的所述上表面与所述最下面的沟道之间的所述栅极结构的所述侧壁上的所述内间隔物接触所述生长阻止图案。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，位于所述有源图案的所述上表面与所述最下面的沟道之间的所述栅极结构的所述侧壁上的所述内间隔物与所述生长阻止图案间隔开。