[发明专利]执行半导体动态和静态测试的方法、装置及存储介质

说明书

本发明实施方式提供一种执行半导体动态和静态测试的方法、装置及存储介质，属于半导体的测试技术领域。所述装置包括：母线电容；第一可控开关；负载电感切换模块；第二可控开关；第一信号使能模块；第二信号使能模块；上位机，与所述第一信号使能模块和所述第二信号使能模块连接，用于控制所述第一信号使能模块和所述第二信号使能模块的工作以完成所述动态和静态测试。该方法、装置及存储介质通过采用同一套设备同时实现半导体的动态测试和静态测试操作，解决了现有技术中存在的执行动态测试和静态测试需要两套设备的技术问题，提高了半导体测试的效率。

技术领域

本发明涉及半导体的测试技术领域，具体地涉及一种执行半导体动态和静态测试的方法、装置及存储介质。

背景技术

半导体功率器件如绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)、金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，MOSFET)等的性能测试一般分为两个部分，即动态测试和静态测试，前者针对功率器件的开关特性、内部续流二极管或寄生二极管的反向恢复特性进行测试评估，后者针对功率器件的导通压降、阀值电压等各种静态参数进行测试评估。原有的功率器件测试系统方案存在以下两个问题：

(1)测试过程和数据处理过程的自动化程度低，切换测试工作点时需要手动进行，极大的降低了测试效率；

(2)器件完整的性能测试需要采用静态测试和动态测试两套系统，即需要采用不同的硬件电路及软件系统对器件进行测试，从而造成了设备成本偏高，体积较大且测试效率较低等问题。

发明内容

本发明实施方式的目的是提供一种执行半导体动态和静态测试的方法、装置及存储介质。该方法、装置及存储介质能够同时实现半导体的动态测试和静态测试。

为了实现上述目的，本发明实施方式提供一种执行半导体动态和静态测试的装置，所述装置包括：

母线电容，一端用于与第一被测器件的漏极连接，另一端用于与第二被测器件的源极连接，所述第一被测器件的源极和所述第二被测器件的漏极连接；

第一可控开关，一端与所述母线电容的一端连接；

负载电感切换模块，一端用于连接至所述第一被测器件的源极，另一端与所述第一可控开关的另一端连接；

第二可控开关，一端与所述负载电感切换模块的另一端连接，另一端用于与所述第二被测器件的源极连接；

第一信号使能模块，用于采集所述第一被测器件的漏极与所述母线电容之间的节点的电流、所述第一被测器件的栅极与所述第一被测器件的源极之间的电压以及所述第一被测器件的源极和所述第一被测器件的漏极之间的电压；

第二信号使能模块，用于采集所述第二被测器件的漏极与所述母线电容之间的节点的电流、所述第二被测器件的栅极与所述第二被测器件的源极之间的电压以及所述第二被测器件的源极和所述第二被测器件的漏极之间的电压；

上位机，与所述第一信号使能模块和所述第二信号使能模块连接，用于控制所述第一信号使能模块和所述第二信号使能模块的工作以完成所述动态和静态测试。

可选地，所述第一信号使能模块和所述第二信号使能模块中的至少一者包括：

高速采样板卡，用于采集所述第一被测器件/第二被测器件的漏极与所述母线电容之间的节点的电流、所述第一被测器件/第二被测器件的栅极与所述第一被测器件/第二被测器件的源极之间的电压以及所述第一被测器件/第二被测器件的源极和所述第一被测器件/第二被测器件的漏极之间的电压；

第一钳位电路，与所述高速采样板卡的第一端连接；

第二钳位电路，与所述高速采样板卡的第二端连接；