[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 202010200600.8 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111725121A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 佐佐木均;籾山大 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;阎文君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,具备:
陶瓷电介体基板,具有载放吸附的对象物的第1主面、与所述第1主面呈相反侧的第2主面;
基座板,支撑所述陶瓷电介体基板;
至少1个第1电极层,被设置于所述陶瓷电介体基板的内部,与高频电源连接;
及至少1个第2电极层,被设置于所述陶瓷电介体基板的内部,与吸附用电源连接,其特征在于,
在从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的Z轴方向上,所述第1电极层被设置在所述第1主面和所述第2主面之间,
所述第1电极层的所述Z轴方向上的尺寸比所述第2电极层的所述Z轴方向上的尺寸更大,
在所述Z轴方向上,所述第2电极层被设置在所述第1电极层和所述第1主面之间,
所述第1电极层具有所述第1主面侧的第1面、与所述第1面呈相反侧的第2面,
在从所述第2面侧供电的静电吸盘上,
所述第1电极层包含陶瓷成分和金属成分,且具有包含所述第1面的第1部分,
所述第1部分上的所述陶瓷成分的浓度比所述第1电极层的所述陶瓷成分的平均浓度更高。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述第1部分上的所述陶瓷成分的浓度比所述第1电极层上的所述第1部分以外的部分上的所述陶瓷成分的浓度更高。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
所述第1电极层还具有在所述Z轴方向上与所述第1部分邻接的第2部分,
所述第1部分上的所述陶瓷成分的浓度比所述第2部分上的所述陶瓷成分的浓度更高。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
所述第1电极层还具有包含所述第2面的第3部分,
所述第3部分上的所述金属成分的浓度比所述第1电极层的所述金属成分的平均浓度更高。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘,其特征在于,所述金属成分的导热系数比所述陶瓷成分的导热系数更大。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
所述第1电极层还具有包含所述第2面的第3部分,
所述第3部分上的所述金属成分的浓度比所述第1电极层上的所述第3部分以外的部分上的所述金属成分的浓度更高。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
所述第1电极层还具有包含所述第2面的第3部分、在所述Z轴方向上与所述第3部分邻接的第4部分,
所述第3部分上的所述金属成分的浓度比所述第4部分上的所述金属成分的浓度更高。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述第1部分上的所述金属成分的浓度为30%以上。
9.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述陶瓷成分与所述陶瓷电介体基板的主成分相同。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述陶瓷成分包含氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅及氧化钇的至少1种。
11.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述金属成分包含钯、银、铂、钼及钨的至少1种。
12.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述第1电极层的厚度为1μm以上500μm以下。
13.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
所述第1电极层还具有包含所述第2面的第3部分,
所述第3部分上的所述金属成分的浓度比所述第2电极层的金属成分的平均浓度更高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造