[发明专利]静电吸盘在审

专利信息
申请号: 202010200600.8 申请日: 2020-03-20
公开(公告)号: CN111725121A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 佐佐木均;籾山大 申请(专利权)人: TOTO株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01J37/32
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李雪春;阎文君
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 静电 吸盘
【权利要求书】:

1.一种静电吸盘,具备:

陶瓷电介体基板,具有载放吸附的对象物的第1主面、与所述第1主面呈相反侧的第2主面;

基座板,支撑所述陶瓷电介体基板;

至少1个第1电极层,被设置于所述陶瓷电介体基板的内部,与高频电源连接;

及至少1个第2电极层,被设置于所述陶瓷电介体基板的内部,与吸附用电源连接,其特征在于,

在从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的Z轴方向上,所述第1电极层被设置在所述第1主面和所述第2主面之间,

所述第1电极层的所述Z轴方向上的尺寸比所述第2电极层的所述Z轴方向上的尺寸更大,

在所述Z轴方向上,所述第2电极层被设置在所述第1电极层和所述第1主面之间,

所述第1电极层具有所述第1主面侧的第1面、与所述第1面呈相反侧的第2面,

在从所述第2面侧供电的静电吸盘上,

所述第1电极层包含陶瓷成分和金属成分,且具有包含所述第1面的第1部分,

所述第1部分上的所述陶瓷成分的浓度比所述第1电极层的所述陶瓷成分的平均浓度更高。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述第1部分上的所述陶瓷成分的浓度比所述第1电极层上的所述第1部分以外的部分上的所述陶瓷成分的浓度更高。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,

所述第1电极层还具有在所述Z轴方向上与所述第1部分邻接的第2部分,

所述第1部分上的所述陶瓷成分的浓度比所述第2部分上的所述陶瓷成分的浓度更高。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,

所述第1电极层还具有包含所述第2面的第3部分,

所述第3部分上的所述金属成分的浓度比所述第1电极层的所述金属成分的平均浓度更高。

5.根据权利要求4所述的静电吸盘,其特征在于,所述金属成分的导热系数比所述陶瓷成分的导热系数更大。

6.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,

所述第1电极层还具有包含所述第2面的第3部分,

所述第3部分上的所述金属成分的浓度比所述第1电极层上的所述第3部分以外的部分上的所述金属成分的浓度更高。

7.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,

所述第1电极层还具有包含所述第2面的第3部分、在所述Z轴方向上与所述第3部分邻接的第4部分,

所述第3部分上的所述金属成分的浓度比所述第4部分上的所述金属成分的浓度更高。

8.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述第1部分上的所述金属成分的浓度为30%以上。

9.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述陶瓷成分与所述陶瓷电介体基板的主成分相同。

10.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述陶瓷成分包含氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硅及氧化钇的至少1种。

11.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述金属成分包含钯、银、铂、钼及钨的至少1种。

12.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述第1电极层的厚度为1μm以上500μm以下。

13.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,

所述第1电极层还具有包含所述第2面的第3部分,

所述第3部分上的所述金属成分的浓度比所述第2电极层的金属成分的平均浓度更高。

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