[发明专利]静电吸盘

说明书

静电吸盘具备：陶瓷电介体基板，具有第1、第2主面；基座板；第1电极层，设置在陶瓷电介体基板的内部并与高频电源连接；及第2电极层，设置在陶瓷电介体基板的内部并与吸附用电源连接，其特征在于，第1电极层在Z轴方向上被设置在第1主面和第2主面之间，第1电极层的Z轴方向上的尺寸比第2电极层的Z轴方向上的尺寸更大，第2电极层在Z轴方向上被设置在第1电极层和第1主面之间，第1电极层具有第1主面侧的第1面和与第1面呈相反侧的第2面，从第2面侧进行供电，第1电极层包含陶瓷成分和金属成分，且具有包含第1面的第1部分，第1部分上的陶瓷成分的浓度比第1电极层的陶瓷成分的平均浓度更高。

技术领域

本发明的形态通常涉及静电吸盘。

背景技术

在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition化学汽相沉积)、溅射、离子注入、灰化等的等离子处理腔室内，使用有静电吸盘来作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的单元。静电吸盘向内置的电极外加静电吸附用电力，进而利用静电力来吸附硅晶片等基板。

在进行等离子处理时，例如从RF(Radio Frequency)电源(高频电源)向设置于腔室内的上部的上部电极和设置于比上部电极更靠下方的下部电极外加电压，来产生等离子体。

在现有的静电吸盘上，将设置在静电吸盘的下部的基座板作为下部电极来产生等离子体。可是，在要求选择适当的频率来进一步控制等离子体密度的晶片面内分布的状况下，在这种构成的等离子体控制上存在有极限。因此，近年，进行了使等离子体产生用的下部电极内置于设置在基座板之上的电介体层，以便提高等离子体控制性的尝试。

专利文献

专利文献1：日本国特开2008-277847号公报

专利文献2：日本国特开2011-119654号公报

发明内容

本发明是基于对这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种能够提高等离子体控制性的静电吸盘。

第1发明为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有载放吸附的对象物的第1主面、与所述第1主面呈相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；至少1个第1电极层，被设置于所述陶瓷电介体基板的内部，与高频电源连接；及至少1个第2电极层，被设置于所述陶瓷电介体基板的内部，与吸附用电源连接，其特征在于，在从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的Z轴方向上，所述第1电极层被设置在所述第1主面和所述第2主面之间，所述第1电极层的所述Z轴方向上的尺寸比所述第2电极层的所述Z轴方向上的尺寸更大，在所述Z轴方向上，所述第2电极层被设置在所述第1电极层和所述第1主面之间，所述第1电极层具有所述第1主面侧的第1面、与所述第1面呈相反侧的第2面，在从所述第2面侧供电的静电吸盘上，所述第1电极层包含陶瓷成分和金属成分，且具有包含所述第1面的第1部分，所述第1部分上的所述陶瓷成分的浓度比所述第1电极层的所述陶瓷成分的平均浓度更高。

根据该静电吸盘，通过将与高频电源连接的第1电极层设置在陶瓷电介体基板的内部，例如可缩短设置在比静电吸盘更靠上方的等离子体产生用的上部电极和第1电极层(下部电极)之间的距离。由此，例如与将基座板作为等离子体产生用的下部电极的情况等相比，能够以较低的电力提高等离子体密度。可提高等离子体控制的响应性。此外，根据该静电吸盘，通过使第1部分上的陶瓷成分的浓度比第1电极层的陶瓷成分的平均浓度更高，能够提高位于第2电极层侧的第1部分的绝缘性，缩短第1电极层和第2电极层之间的距离。由此，能够缩短等离子体产生用的上部电极和第1电极层(下部电极)之间的距离，降低阻抗，提高等离子体控制性。

第2发明为一种静电吸盘，其特征在于，在第1发明中，所述第1部分上的所述陶瓷成分的浓度比所述第1电极层上的所述第1部分以外的部分上的所述陶瓷成分的浓度更高。