[发明专利]等离子体处理装置在审
申请号: | 202010201548.8 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111755312A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 太田浩史;花冈秀敏;铃木步太 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置具有:
导电性的载置台,其具有用于载置基板的载置部和设于比所述载置部低的位置的台阶部;
导电性构件,其配设于所述台阶部,延伸到比所述载置台的外缘靠外侧的位置;以及
第1绝缘构件,其配置于所述导电性构件的上表面。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其中,
所述第1绝缘构件以覆盖所述导电性构件的方式配置。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置还具有覆盖所述载置台的侧面的第2绝缘构件。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的等离子体处理装置,其中,
在所述台阶部形成有电介质的保护膜。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的等离子体处理装置,其中,
在所述第1绝缘构件之上载置导电性的聚焦环。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其中,
在所述导电性构件与所述第1绝缘构件之间设有所述导电性构件能够上下移动的空间,
该等离子体处理装置还具有驱动所述导电性构件而使其上下的驱动机构。
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