[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够减少在覆盖环的外侧附着的反应副产物。等离子体处理装置具有载置台、导电性构件以及第1绝缘构件。载置台为具有用于载置基板的载置部和设于比载置部低的位置的台阶部的导电性的载置台。导电性构件配设于台阶部，延伸到比载置台的外缘靠外侧的位置。第1绝缘构件配置于导电性构件的上表面。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，存在使用处理气体的等离子体对基板施加蚀刻等处理的工序。在这样的工序中所使用的等离子体处理装置中，通过在腔室内的载置台载置基板，并在该载置台的上方的空间使处理气体等离子体化，来对基板进行等离子体处理。为了使基板的边缘附近处的等离子体的均匀性提高，在载置台上的基板的周围配置有被称作聚焦环的构件。另外，在聚焦环的周围配置有覆盖环。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－138497号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够减少在覆盖环的外周侧附着的反应副产物(以下也称作沉积物)的等离子体处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的等离子体处理装置具有载置台、导电性构件以及第1绝缘构件。载置台为具有用于载置基板的载置部、设于比载置部低的位置的台阶部的导电性的载置台。导电性构件配设于台阶部，并延伸到比载置台的外缘靠外侧的位置。第1绝缘构件配置于导电性构件的上表面。

发明的效果

根据本公开，能够减少在覆盖环的外周侧附着的反应副产物。

附图说明

图1是表示本公开的一实施方式的处理系统的一个例子的图。

图2是表示本实施方式的载置台的构造的一个例子的局部放大图。

图3是表示比较例1的载置台的构造的一个例子的局部放大图。

图4是表示比较例1的电场强度的模拟结果的一个例子的图。

图5是表示本实施方式的电场强度的模拟结果的一个例子的图。

图6是表示比较例1的覆盖环的外观的一个例子的图。

图7是表示本实施方式的覆盖环的外观的一个例子的图。

图8是表示比较例1的覆盖环的消耗量的一个例子的图。

图9是表示本实施方式的覆盖环的消耗量的一个例子的图。

图10是表示变形例的载置台的构造的一个例子的局部放大图。

具体实施方式

以下，基于附图详细地说明所公开的等离子体处理装置的实施方式。此外，所公开的技术并不被以下的实施方式限定。

以往，公知有在载置台周围配置了绝缘构件的等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，存在这样的情况：沉积物在作为绝缘构件的覆盖环的外周侧堆积，堆积的沉积物成为微粒而附着于晶圆。推测：在覆盖环的内周侧存在电位差，因而离子被向覆盖环侧吸引，而覆盖环和沉积物被蚀刻。另一方面，推测：在覆盖环的外周侧不存在电位差，因而覆盖环和沉积物未被蚀刻。于是，期望减少在覆盖环的外周侧附着的沉积物。