[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，包括：

降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及

恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

从所述基板的周围供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

与所述基板的主表面大致平行地供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

在所述降温步骤中，从降温中途开始向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

在所述降温步骤中，在开始降温的同时开始向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述第三温度为所述第二温度以上且所述第一温度以下的温度。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述降温步骤的时间比所述恒温步骤的时间短。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

在所述基板的表面形成有凹部。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

在所述处理容器内，在上下方向上具有规定间隔地以架状收容多个基板。

10.一种成膜装置，具备：

处理容器，其收容基板；

加热部，其用于加热所述基板；

气体供给部，其向所述处理容器内供给气体；以及

控制部，

其中，所述控制部控制所述加热部和所述气体供给部，以执行以下步骤：

降温步骤，一边使所述基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及

恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度控制为固定，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体。