[发明专利]成膜方法和成膜装置在审

申请号：	202010201549.2	申请日：	2020-03-20
公开（公告）号：	CN111748788A	公开（公告）日：	2020-10-09
发明（设计）人：	林宽之;藤田成树;熊谷圭太;藤田圭介	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	C23C16/24	分类号：	C23C16/24;C23C16/46;H01L21/02
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	方法装置
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【说明书】：

本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。

技术领域

本公开涉及一种成膜方法和成膜装置。

背景技术

已知一种向表面形成有细微凹部的基板供给硅烷系气体和硅系含氯化合物气体来形成硅膜的技术(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-152426号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的技术。

用于解决问题的方案

基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在该恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。

发明的效果

根据本公开，能够改善膜厚度的面内均匀性。

附图说明

图1是表示一个实施方式的成膜方法的流程图。

图2是表示形成晶种层的工序中的温度控制的一例的图。

图3是表示立式热处理装置的结构例的纵剖截面图。

图4是用于说明图3的立式热处理装置的处理容器的图。

图5是用于说明实施例1和比较例1的评价样本的图。

图6是表示膜厚度的面内分布的测定结果的图。

图7是表示实施例1的评价结果的图。

图8是表示比较例1的评价结果的图。

图9是用于说明实施例2和比较例2的评价样本的图。