[发明专利]平坦度得到改善的薄膜蒸镀用掩膜组装体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202010202266.X 申请日: 2020-03-20
公开(公告)号: CN113308666B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 庾弘宇 申请(专利权)人: 皮姆思株式会社
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24
代理公司: 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 代理人: 罗银燕
地址: 韩国仁川市防筑*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 平坦 得到 改善 薄膜 蒸镀用掩膜 组装 及其 制造 方法
【说明书】:

发明涉及平坦度得到改善的薄膜蒸镀用掩膜组装体及其制造方法,包括:准备步骤,准备四边框形态的框架及薄膜掩膜;冲压步骤,通过以上述框架的4个边中心部为基准使4个角向下方变形的矫正力来塑性变形规定间隔;以及掩膜拉伸接合步骤,拉伸上述掩膜,来使其与受到上述矫正力的框架相接合。据此,在四边框形框架拉伸薄膜掩膜来接合而成的薄膜蒸镀用掩膜组装体,通过提供以框架的4个边中心部为基准使4个角向下方变形的矫正力,可使掩膜应力与框架应力相互抵消。结果,可尽可能提高掩膜拉伸力,并可提高掩膜下垂减少效果,与掩膜拉伸力的增加无关地,可改善掩膜组装体的平坦度。

技术领域

本发明涉及平坦度得到改善的薄膜蒸镀用掩膜组装体及其制造方法,更详细地,涉及如下的新的平坦度得到改善的薄膜蒸镀用掩膜组装体及其制造方法,即,用于制造如有机发光二极管(OLED)显示器的薄膜蒸镀用掩膜组装体可矫正随着在四边框形态的框架拉伸薄膜掩膜来接合而产生的掩膜组装体的平坦度变化量。

背景技术

近来,广泛制造的有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)适用于电视(TV)、个人计算机(PC)、平板电脑、智能手机、智能手表、车辆仪表盘等多种用途的显示器。掩膜组装体为用于在有机发光二极管制造工序中,在基板形成上规定图案的部件。掩膜组装体通过以如激光焊接方式在框架接合一个或多个层的掩膜来制造。在此情况下,框架呈具有约10~40mm范围内的厚度的窗框或门框形状的四边框形态,由如不锈钢(例如,SUS420)或因瓦合金(例如,Invar36)等的高强度金属材质制造。另一方面,掩膜以具有约0.02~0.50mm范围内的厚度的薄膜带、格子或片等多种形态制造,根据用途确定大小的多个开口形成规定图案,与框架相同地,由如不锈钢或因瓦合金的金属材质制造。

参照图1,在进行常规薄膜工序的蒸镀机内,蒸镀物质从下方向上方上升,掩膜组装体通过尤其形成于掩膜10的开口图案附着于玻璃材质的基板12的表面。掩膜10配置于基板12的正下方来紧贴于基板12。掩膜10为非常薄的金属材质,如图1的(a)部分所示,尤其,其中心部通过重力向下方下垂。将掩膜10紧贴于基板12是技术上非常重要的问题。因此,通常,如图1的(b)部分所示,利用位于蒸镀机的上部的磁铁14拉拽作为金属材质的掩膜10,并使上述掩膜10紧贴于玻璃材质基板12的表面。但是,在此过程中向下方下垂的掩膜10沿着垂直方向,即,Z方向上升,因此,形成于掩膜10的多个开口的位置在XY平面上微细地移动。由于这种掩膜移动现象,当进行微细图案形成工序时,产生阴影现象。通常,掩膜下垂量越大,则掩膜移动现象增加,因此,需要减少掩膜下垂量。

在以往,为了使掩膜下垂现象最小化,利用多种单元。例如,如图2所例示,广泛利用拉伸掩膜23(参照图2的(b)部分)并以紧绷的状态与框架21(参照图2的(a)部分)相接合(参照图2的(c)部分)的方式。在此情况下,向掩膜施加的拉伸力不能仅具有可使掩膜被塑性变形的程度的强度,需在使掩膜维持紧绷的状态的程度进行调节。在被以如上所述的方式调节的力拉伸的掩膜中,当与框架相接合时,所要复原至拉伸之前的形态的应力起到作用,从而可维持紧绷的状态,结果,可减少掩膜下垂现象。但是,这种拉伸至紧绷状态的掩膜的应力不可避免地向框架施加力,最终产生使框架平坦度改变的问题。

换言之,可通过将掩膜紧绷地拉拽并接合来减少掩膜下垂量,作为其副作用,在支撑紧绷地拉拽掩膜的框架产生少量的尺寸变化,最终产生掩膜框架的平坦度降低的问题。

作用于拉伸的掩膜23的应力沿着与拉伸方向相反的方向作用。即,如图3的(a)部分的箭头所示,在掩膜组装体中,作用于掩膜23的应力沿着框架21的4个边朝向内侧拉拽的方向作用。

结果,如图3的(b)部分所示,掩膜组装体30的4个边31a、31b、31c、31d的两端略微翘起,从而以4个角33a、33b、33c、33d上升且中心部分下垂的形态扭曲。如上所述,在掩膜组装体的平坦度降低的情况下,在蒸镀工序中,掩膜与基板之间的紧贴度降低,因此,具有阴影现象更大的问题。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皮姆思株式会社,未经皮姆思株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010202266.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top