[发明专利]一种光模块

权利要求书

1.一种光模块，其特征在于，包括：

电路板；

硅光芯片，设置在所述电路板上与所述电路板电连接，所述硅光芯片的输入光口内设置偏振旋转分束器，通过所述偏振旋转分束器接收光模块外部传输至其的信号光，将所述信号光调制为电信号并通过所述硅光芯片的光电口输出；

所述偏振旋转分束器包括：

衬底；

第一硅波导，设置在所述衬底上；

第二硅波导，设置在所述第一硅波导第一端的上方，厚度大于第一硅波导的厚度，长度方向与所述第一硅波导长度方向平行；

第三硅波导，设置在所述第一硅波导第一端的上方，厚度大于第一硅波导的厚度，长度方向与所述第一硅波导长度方向平行，所述第三硅波导与所述第二硅波导之间存在间距，间距内填充包层；

氮化硅波导，设置在所述第一硅波导第二端的上方，与所述第一硅波导之间存在间距，间距内填充包层，所述氮化硅波导长度方向与所述第一硅波导长度方向平行；

其中，所述偏振旋转分束器沿其长度方向分为分束器第一区、分束器第二区、分束器第三区和分束器第四区；

所述氮化硅波导包括依次连接的第一段、第二段、第三段和第四段；所述第一硅波导包括依次连接的第一段、第二段和第三段；

所述氮化硅波导的第一段位于所述分束器第一区，所述氮化硅波导的第一段用于耦合光模块外部传输的信号光；

所述氮化硅波导的第二段和所述第一硅波导的第一段位于所述分束器第二区，所述第一硅波导的第一段的宽度自其前端向其末端逐渐增大；

所述氮化硅波导的第三段和所述第一硅波导的第二段位于所述分束器第三区，所述第一硅波导的第二段的宽度自其前端向其末端逐渐增大；

所述氮化硅波导的第四段和所述第一硅波导的第三段位于所述分束器第四区，所述氮化硅波导的第四段的宽度自其前端向其末端逐渐减小。

2.根据权利要求1所述光模块，其特征在于，所述偏振旋转分束器沿其长度方向还分为分束器第五区、分束器第六区、分束器第七区、分束器第八区和分束器第九区，所述分束器第五区连接所述分束器第四区；

所述第一硅波导还包括依次连接的第四段、第五段、第六段、第七段和第八段；所述第二硅波导包括依次连接的第一段、第二段、第三段和第四段；所述第三硅波导包括依次连接的第一段和第二段；

所述第一硅波导的第四段位于所述分束器第五区；

所述第一硅波导的第五段和所述第二硅波导的第一段位于所述分束器第六区，所述第二硅波导的第一段的宽度自其前端向其末端逐渐增大；

所述第一硅波导的第六段和所述第二硅波导的第二段位于所述分束器第七区，所述第一硅波导的第六段的宽度自其前端向其末端逐渐增大；

所述第一硅波导的第七段、所述第二硅波导的第三段和所述第三硅波导的第一段位于所述分束器第八区，所述第二硅波导的第三段的宽度自其前端向其末端逐渐减小，所述第三硅波导的第一段的宽度自其前端向其末端逐渐增加；

所述第一硅波导的第八段、所述第二硅波导的第四段和所述第三硅波导的第二段位于所述分束器第九区。

3.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述氮化硅波导的第二段的宽度大于所述第一硅波导的第一段的宽度，所述氮化硅波导的第三段的宽度大于所述第一硅波导的第二段的宽度。

4.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述第一硅波导的第五段的宽度大于所述第二硅波导的第一段的宽度。

5.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述第二硅波导的第三段的宽度大于所述第三硅波导的第一段的宽度。

6.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述第二硅波导的厚度与所述第三硅波导的厚度相同。

7.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述第一硅波导的厚度小于200nm，所述第二硅波导的厚度大于200nm，所述第三硅波导的厚度大于200nm。