[发明专利]一种印制电路板显影去膜废水预处理系统

说明书

本发明公开了一种印制电路板显影去膜废水预处理系统，包括依次连接的显影去膜废水收集池、酸化池、Fenton池、电催化池，酸化池包括依次连接的第一调节池、酸化反应池、絮凝池，酸化反应池上设有废酸管道，絮凝池连接有第一加药装置；Fenton池包括依次连接的第二调节池、Fenton反应池、第一混凝沉淀池，Fenton反应池连接有第二加药装置，第一混凝沉淀池连接有第三加药装置；电催化池包括依次连接的第三调节池、电催化反应池、第二混凝沉淀池，电催化反应池连接有第四加药装置、池内设有电极板，第二混凝沉淀池连接有第五加药装置；酸化反应池、Fenton反应池、电催化反应池内分别设有曝气装置。本发明在提高废水处理效果的同时节省了药剂使用量，成本较低。

技术领域

本发明涉及一种印制电路板显影去膜废水预处理系统。

背景技术

显影去膜废水来源于印制电路板生产时的曝光显影/水洗、去膜/水洗和丝印等工序，具有化学需氧量高、可生化性差、水量波动明显等特点，属于难降解有机废水。

目前，工程上处理显影去膜废水的常用预处理方法是“酸析”+“Fenton”组合工艺，即先加入废酸，调节pH为3左右，使废水析出部分有机污染物，然后再利用Fenton工艺进一步氧化废水中的有机污染物，最后接入生化单元进行深度处理，最终达标排放。

实际上，使用Fenton工艺处理废水存在如下问题：(1)Fenton试剂投加量大，药剂使用成本较高；(2)仅仅通过Fenton工艺处理废水难以达标；(3)在后续混凝去除Fe³⁺时产生铁泥的量较多。第一个问题的产生是因为Fenton反应处理废水的原理是在酸性条件下，Fe²⁺与过氧化氢反应生成具有强氧化性的·OH，废水中的有机污染物在·OH作用下被氧化为CO₂和H₂O。但是，由于过氧化氢具有不稳定易分解的特点以及Fenton反应中副反应的存在，使得过氧化氢的利用率不高，所以为了提供充足的·OH，Fenton试剂的投加量也会变多，并且大量的Fenton试剂投加也会导致Fenton反应池内膜因腐蚀需要频繁更换，使得利用Fenton技术处理废水的成本变得异常昂贵。第二个问题的产生是因为在实际过程中，废水的水质水量是会有波动的，只使用Fenton工艺处理显影去膜废水其处理效果往往不能达到预期。第三个问题的产生是因为在Fenton反应后会产生大量Fe³⁺，为了降低Fe³⁺的含量需要对废水调节pH和混凝处理，这就大大增加了含铁污泥的量。为了提高Fenton试剂的利用率，将Fenton工艺与其他工艺联合使用是目前的发展趋势。

综上所述，目前工程上利用Fenton工艺处理印制电路板显影去膜废水时存在Fenton药剂投加量大、处理效果差、含铁污泥产生量大等问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种印制电路板显影去膜废水预处理系统，旨在解决现有技术中Fenton药剂投加量大、处理效果差、含铁污泥产生量大的技术问题。

本发明的技术方案是：一种印制电路板显影去膜废水预处理系统，包括用于收集显影去膜废水的显影去膜废水收集池，还包括酸化池、Fenton池、电催化池，所述显影去膜废水收集池的出水口与所述酸化池的进水口连接，所述酸化池的出水口与所述Fenton池的进水口连接，所述Fenton池的出水口与所述电催化池的进水口连接；所述酸化池包括依次连接的第一调节池、酸化反应池、絮凝池，所述酸化反应池上设有供废酸池内所收集印制电路板生产过程中产生的废酸通入的废酸管道，所述絮凝池连接有第一加药装置；所述Fenton池包括依次连接的第二调节池、Fenton反应池、第一混凝沉淀池，所述Fenton反应池连接有第二加药装置，所述第一混凝沉淀池连接有第三加药装置；所述电催化池包括依次连接的第三调节池、电催化反应池、第二混凝沉淀池，所述电催化反应池连接有第四加药装置、且池内设有电极板，所述第二混凝沉淀池连接有第五加药装置；所述酸化反应池、Fenton反应池、电催化反应池内还分别设有曝气装置。