[发明专利]一种镭射后植球的封装工艺

权利要求书

1.一种镭射后植球的封装工艺，其特征在于所述工艺包括以下步骤：

步骤一、在基板背面贴覆一层干膜；

步骤二、对干膜进行曝光显影，将植球焊垫区域以外的干膜去除；

步骤三、在基板正面贴装元件；

步骤四、对基板正面进行包封；

步骤五、在基板背面贴装元件；

步骤六、对基板背面进行包封；

步骤七、在基板背面进行镭射钻孔，将植球焊垫区域上方的包封料去除，露出干膜；

步骤八、将露出的干膜去除；

步骤九、在去除干膜的植球焊垫上植入锡球；

步骤十、将整体封装结构切割成单颗产品。

2.根据权利要求1所述的一种镭射后植球的封装工艺，其特征在于：步骤八中去膜方式可通过浸泡加喷淋碱性溶液的方式。