[发明专利]一种镭射后植球的封装工艺

说明书

本发明涉及一种镭射后植球的封装工艺，所述工艺包括以下步骤：步骤一、在基板背面贴覆一层干膜；步骤二、对干膜进行曝光显影，将植球焊垫区域以外的干膜去除；步骤三、在基板正面贴装元件；步骤四、对基板正面进行包封；步骤五、在基板背面贴装元件；步骤六、对基板背面进行包封；步骤七、在基板背面进行镭射钻孔，将植球焊垫区域上方的包封料去除，露出干膜；步骤八、将露出的干膜去除；步骤九、在去除干膜的植球焊垫上植入锡球；步骤十、将整体封装结构切割成单颗产品。本发明一种镭射后植球的封装工艺，它能够解决现有工艺需要在基板植球焊垫上镀上一层金属从而导致制作成本上升的问题。

技术领域

本发明涉及一种镭射后植球的封装工艺，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着技术的发展，双面封装已成为趋势，现有双面封装背面的工艺流程有两种：

一种是先植球包封，再通过镭射打孔把球露出，最后通过再成型工艺让球凸出一定高度以便后续上板；

另一种是先包封，再镭射钻孔把植球焊垫露出，然后在焊垫上植球并让球凸出一定高度以便后续上板。

针对第二种工艺流程，为防止镭射钻孔时将植球焊垫打伤，影响可靠性，现有工艺通常在基板植球焊垫上镀上一层金属保护层，如银、铝、铜等，且需要一定厚度，这就导致了制作成本的上升。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种镭射后植球的封装工艺，它能够解决现有工艺在基板植球焊垫上镀上一层金属保护层而导致的制作成本上升的问题。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种镭射后植球的封装工艺，所述工艺包括以下步骤：

步骤一、在基板背面贴覆一层干膜；

步骤二、对干膜进行曝光显影，将植球焊垫区域以外的干膜去除；

步骤三、在基板正面贴装元件；

步骤四、对基板正面进行包封；

步骤五、在基板背面贴装元件；

步骤六、对基板背面进行包封；

步骤七、在基板背面进行镭射钻孔，将植球焊垫区域上方的包封料去除，露出干膜；

步骤八、将露出的干膜去除；

步骤九、在去除干膜的植球焊垫上植入锡球；

步骤十、将整体封装结构切割成单颗产品。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

1、本发明通过压干膜保护植球焊垫，有效防止镭射能量造成的线路受损，与现有工艺相比，节约了生产成本；

2、本发明通过实时调节镭射参数控制镭射深度，干膜的保护能够有效防止因镭射能量波动而造成的线路受损。

附图说明

图1～图9为本发明一种镭射后植球的封装工艺的各工序流程示意图。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

本发明涉及的一种镭射后植球的封装工艺，所述工艺包括以下步骤：

步骤一、参见图1，在基板背面热压干膜；

将干膜加热至100℃左右，施加压力向下进行热压，保证贴膜品质；

所述干膜的厚度为50～100um；

步骤二、参见图2，对干膜进行曝光显影，将植球焊垫区域以外的干膜去除；