[发明专利]一种CNPTC高磁发热技术在审

申请号：	202010207202.9	申请日：	2020-03-23
公开（公告）号：	CN111205086A	公开（公告）日：	2020-05-29
发明（设计）人：	姚树伟	申请（专利权）人：	辽宁斯宝达节能科技开发有限公司
主分类号：	C04B35/468	分类号：	C04B35/468;C04B35/40;C04B35/622
代理公司：	沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙) 21254	代理人：	杨群;郭悦
地址：	110000 辽宁省沈***	国省代码：	辽宁;21
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摘要：
搜索关键词：	一种 cnptc 发热技术
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【权利要求书】：

1.一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于：包括铁氧体和正温度系数半导体化合物，铁氧体和正温度系数半导体化合物的结合体为CNPTC组合物，CNPTC组合物为钛酸钡系小型化的热敏电阻元件，CNPTC组合物的组式为[(Bi·A)Subx/Sub(BaSub1-y/SubRSuby/Sub)Sub1-x/Sub](TiSub1-z/SubMSubz/Sub)Suba/SubOSub3/Sub。

2.根据权利要求1所述的一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于：所述CNPTC组合物中A是Na、Li和K中的至少一种表示，R是稀土元素(包括Y)中的至少一种表示，M是Nb、Ta和Sb中的至少一种表示。

3.根据权利要求1所述的一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于：所述CNPTC组合物中a满足0.90≤a≤1.10。

4.根据权利要求1所述的一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于：所述CNPTC组合物中x满足0x≤0.30。

5.根据权利要求1所述的一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于：所述CNPTC组合物中y满足0≤y≤0.050。

6.根据权利要求1所述的一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于：所述CNPTC组合物中z满足0≤z≤0.010。

7.根据权利要求1所述的一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于：所述CNPTC组合物内部存在的孔隙之间的间隔的平均值的孔隙间平均距离为1.0μm以上和8.0μm以下。

8.根据权利要求1所述的一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于：所述CNPTC组合物主成分为BaTiO3。

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