[发明专利]一种CNPTC高磁发热技术

说明书

本发明属于电发热元件技术领域，具体涉及一种CNPTC高磁发热技术，包括铁氧体和正温度系数半导体化合物，铁氧体和正温度系数半导体化合物的结合体为CNPTC组合物，CNPTC组合物为钛酸钡系小型化的热敏电阻元件，CNPTC组合物主成分为BaTiO3。本发明CNPTC组合物采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料，CNPTC电阻率远大于一般半导体性材料，具有涡流损失小的优点，同时CNPTC组合物形成的磁性元器件热转化率高、热传递速度快、发热均匀性好，散热性好并且散热均匀，发热性能稳定性好，耗能小节约能源，使用寿命长。

技术领域

本发明属于电热交换技术领域，涉及电发热元件的材料，具体涉及一种CNPTC高磁发热技术。

背景技术

如今，电发热元件一般采用陶瓷PTC材料制成，陶瓷PTC是由钛酸钡(或锶、铅)为主成分，添加少量稀土(Y、Nb、Bi、Sb)、受主(Mn、Fe)元素，以及玻璃(氧化硅、氧化铝)等添加剂，经过烧结而成的半导体陶瓷；或者利用丙烯酰胺、亚甲基双丙烯酰胺等有机单体交联聚合形成凝胶来成型陶瓷，这种方法被称为凝胶注模成型(Gelcasting)。现有这种发热陶瓷材料稳定性差，发热不均匀，涡流损失大，热转换效率低；同时，这种发热陶瓷材料工艺结构不合理，空气暴露部分大，散热均匀性极差，使用寿命较低。

发明内容

本发明提供一种CNPTC高磁发热技术，目的是提供一种换热性能好、使用寿命长的节能加热材料。

为实现本发明的目的，本发明提供一种CNPTC高磁发热技术，其特征在于，包括铁氧体和正温度系数半导体化合物，铁氧体和正温度系数半导体化合物的结合体为CNPTC组合物，CNPTC组合物为钛酸钡系小型化的热敏电阻元件，CNPTC组合物用于电发热，CNPTC组合物的成分化学组成计算式为[(Bi·A)Subx/Sub(BaSub1-y/SubRSuby/Sub)Sub1-x/Sub](TiSub1-z/SubMSubz/Sub)Suba/SubOSub3/Sub。

优选的，所述CNPTC组合物中A是Na、Li和K中的至少一种表示，R是稀土元素(包括Y)中的至少一种表示，M是Nb、Ta和Sb中的至少一种表示。

优选的，所述CNPTC组合物中a满足0.90≤a≤1.10。

优选的，所述CNPTC组合物中x满足0x≤0.30。

优选的，所述CNPTC组合物中y满足0≤y≤0.050。

优选的，所述CNPTC组合物中z满足0≤z≤0.010。

优选的，所述CNPTC组合物内部存在的孔隙之间的间隔的平均值的孔隙间平均距离为1.0μm以上和8.0μm以下。

优选的，所述CNPTC组合物主成分为BaTiO3。

本发明的有益效果是：本发明CNPTC组合物采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料，CNPTC电阻率远大于一般半导体性材料，具有涡流损失小的优点，同时CNPTC组合物形成的磁性元器件热转化率高、热传递速度快、发热均匀性好，散热性好并且散热均匀，发热性能稳定性好，耗能小节约能源。CNPTC组合物发热元件工艺结构合理，与空气暴露部分小，提高了热转换效率，长期应用下功率稳定性好，使用寿命长。

附图说明

图1是本发明的分子结构排列的示意图；

图2是本发明的A-A向的局部示意图。

具体实施方式

以下，将结合附图对本发明作进一步说明: