[发明专利]一种CNPTC高磁发热技术在审
申请号: | 202010207202.9 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN111205086A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 姚树伟 | 申请(专利权)人: | 辽宁斯宝达节能科技开发有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/40;C04B35/622 |
代理公司: | 沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙) 21254 | 代理人: | 杨群;郭悦 |
地址: | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cnptc 发热 技术 | ||
本发明属于电发热元件技术领域,具体涉及一种CNPTC高磁发热技术,包括铁氧体和正温度系数半导体化合物,铁氧体和正温度系数半导体化合物的结合体为CNPTC组合物,CNPTC组合物为钛酸钡系小型化的热敏电阻元件,CNPTC组合物主成分为BaTiO3。本发明CNPTC组合物采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化,从而得到正特性的热敏电阻材料,CNPTC电阻率远大于一般半导体性材料,具有涡流损失小的优点,同时CNPTC组合物形成的磁性元器件热转化率高、热传递速度快、发热均匀性好,散热性好并且散热均匀,发热性能稳定性好,耗能小节约能源,使用寿命长。
技术领域
本发明属于电热交换技术领域,涉及电发热元件的材料,具体涉及一种CNPTC高磁发热技术。
背景技术
如今,电发热元件一般采用陶瓷PTC材料制成,陶瓷PTC是由钛酸钡(或锶、铅)为主成分,添加少量稀土(Y、Nb、Bi、Sb)、受主(Mn、Fe)元素,以及玻璃(氧化硅、氧化铝)等添加剂,经过烧结而成的半导体陶瓷;或者利用丙烯酰胺、亚甲基双丙烯酰胺等有机单体交联聚合形成凝胶来成型陶瓷,这种方法被称为凝胶注模成型(Gelcasting)。现有这种发热陶瓷材料稳定性差,发热不均匀,涡流损失大,热转换效率低;同时,这种发热陶瓷材料工艺结构不合理,空气暴露部分大,散热均匀性极差,使用寿命较低。
发明内容
本发明提供一种CNPTC高磁发热技术,目的是提供一种换热性能好、使用寿命长的节能加热材料。
为实现本发明的目的,本发明提供一种CNPTC高磁发热技术,其特征在于,包括铁氧体和正温度系数半导体化合物,铁氧体和正温度系数半导体化合物的结合体为CNPTC组合物,CNPTC组合物为钛酸钡系小型化的热敏电阻元件,CNPTC组合物用于电发热,CNPTC组合物的成分化学组成计算式为[(Bi·A)Subx/Sub(BaSub1-y/SubRSuby/Sub)Sub1-x/Sub](TiSub1-z/SubMSubz/Sub)Suba/SubOSub3/Sub。
优选的,所述CNPTC组合物中A是Na、Li和K中的至少一种表示,R是稀土元素(包括Y)中的至少一种表示,M是Nb、Ta和Sb中的至少一种表示。
优选的,所述CNPTC组合物中a满足0.90≤a≤1.10。
优选的,所述CNPTC组合物中x满足0x≤0.30。
优选的,所述CNPTC组合物中y满足0≤y≤0.050。
优选的,所述CNPTC组合物中z满足0≤z≤0.010。
优选的,所述CNPTC组合物内部存在的孔隙之间的间隔的平均值的孔隙间平均距离为1.0μm以上和8.0μm以下。
优选的,所述CNPTC组合物主成分为BaTiO3。
本发明的有益效果是:本发明CNPTC组合物采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化,从而得到正特性的热敏电阻材料,CNPTC电阻率远大于一般半导体性材料,具有涡流损失小的优点,同时CNPTC组合物形成的磁性元器件热转化率高、热传递速度快、发热均匀性好,散热性好并且散热均匀,发热性能稳定性好,耗能小节约能源。CNPTC组合物发热元件工艺结构合理,与空气暴露部分小,提高了热转换效率,长期应用下功率稳定性好,使用寿命长。
附图说明
图1是本发明的分子结构排列的示意图;
图2是本发明的A-A向的局部示意图。
具体实施方式
以下,将结合附图对本发明作进一步说明:
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