[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010207587.9 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111383992B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 杨素慧;王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆，所述第一晶圆上暴露有第一导电层；
在所述第一晶圆以及所述第一导电层上形成第一氧化层；
在所述第一氧化层中形成一体成型的第一互联通道和第一虚拟通道，其中，所述第一互联通道沿垂直于所述第一导电层的方向上的宽度实质相同，所述第一互联通道与所述第一导电层接触，且所述第一虚拟通道的高度小于所述第一互联通道的高度，使得所述第一虚拟通道与所述第一导电层间隔；
提供第二晶圆，所述第二晶圆上暴露有第二导电层；
在所述第二晶圆以及所述第二导电层上形成第二氧化层；
在所述第二氧化层中形成一体成型的第二互联通道和第二虚拟通道，其中，所述第二互联通道沿垂直于所述第二导电层的方向上的宽度实质相同，所述第二互联通道与所述第二导电层接触，且所述第二虚拟通道的高度小于所述第二互联通道的高度，使得所述第二虚拟通道与所述第二导电层间隔；以及
键合所述第一晶圆和第二晶圆，使所述第一互联通道和所述第二互联通道相互接触从而连通所述第一导电层和所述第二导电层；
在所述第一晶圆以及所述第一导电层上形成第一氧化层之前包括：在所述第一晶圆以及所述第一导电层上形成第一绝缘层，所述第一氧化层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度；
在所述第二晶圆以及所述第二导电层上形成第二氧化层之前包括：在所述第二晶圆以及所述第二导电层上形成第二绝缘层，所述第二氧化层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一互联通道的宽度大于所述第一虚拟通道的宽度。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述第一氧化层中均匀地形成多个所述第一虚拟通道。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述第二氧化层中均匀地形成多个所述第二虚拟通道。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，还包括：
在键合所述第一晶圆和第二晶圆时，使所述第一虚拟通道和所述第二虚拟通道相互接触。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一虚拟通道与所述第一绝缘层不接触。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二虚拟通道与所述第二绝缘层不接触。
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