[发明专利]阵列数据位反转

权利要求书

1.一种存储器操作的方法，其包括：

由感测组件通过第一组晶体管的第一晶体管而感测存储在存储器单元处的第一逻辑值，其中所述第一组晶体管的所述第一晶体管与所述感测组件的第一输入以及数字线电子连通；以及

通过不同于所述第一组晶体管的第二组晶体管的第一晶体管将所述感测组件的输出施加到所述存储器单元，所述感测组件的所述输出对应于所述第一逻辑值，其中所述第二组晶体管的所述第一晶体管与所述感测组件的第二输入以及所述数字线电子连通，其中不同于所述第一逻辑值的第二逻辑值至少部分基于所述施加而存储在所述存储器单元处。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述感测之前激活所述第一组晶体管；以及

在所述感测之前将所述存储器单元存储的电荷转移到与所述感测组件电子连通的所述数字线，其中所述感测组件的所述输出至少部分是基于转移到所述数字线的电荷的量。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述电荷转移包括：

将虚拟接地施加到所述数字线；

至少部分基于施加所述虚拟接地而将第二电压施加到与所述存储器单元电子连通的字线；以及

至少部分基于施加所述第二电压而将第三电压施加到与所述存储器单元电子连通的极板线。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

通过撤销激活所述第一组晶体管以及所述第二组晶体管在所述感测之前将所述感测组件从所述数字线以及参考线隔离，其中所述数字线与所述存储器单元以及所述感测组件电子连通，且其中所述参考线与所述感测组件电子连通。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述感测组件的所述输出施加到所述存储器单元包括：

激活所述第二组晶体管；以及

至少部分基于激活所述第二组晶体管而将所施加的电压从与所述存储器单元电子连通的极板线移除。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一组晶体管的第二晶体管与所述感测组件的所述第二输入以及参考线电子连通，及

所述第二组晶体管的第二晶体管与所述感测组件的所述第一输入以及所述参考线电子连通。

7.根据权利要求1所述的方法，其中感测所述第一逻辑值包括：

将所述感测组件的所述第一输入处的第一电压与所述感测组件的所述第二输入处的第二电压进行比较，其中所述感测组件的输出电压至少部分是基于所述比较。

8.一种存储器操作的方法，包括：

确定存储器单元是处于初始状态还是反转状态；

至少部分基于所述确定而选择第一组晶体管或第二组晶体管，其中所述第一组晶体管的第一晶体管与感测组件的第一输入以及数字线电子连通，且所述第二组晶体管的第一晶体管与所述感测组件的第二输入以及所述数字线电子连通；以及

通过所述第一组晶体管或所述第二组晶体管中的一者而至少部分基于所述选择来存取所述存储器单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

向所述存储器单元写入第一逻辑值；以及

在翻转操作期间以及在向所述存储器单元写入所述第一逻辑值之后，向所述存储器单元写入不同于所述第一逻辑值的第二逻辑值，其中确定所述存储器单元是处于所述初始状态还是所述反转状态包括：

至少部分基于所述翻转操作而确定所述存储器单元是处于所述反转状态。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

在所述翻转操作之后，选择存储有用于读取操作的第二逻辑值的所述存储器单元，其中存取所述存储器单元包括至少部分基于确定所述存储器单元是处于所述反转状态，由所述感测组件在所述读取操作期间通过所述第二组晶体管而感测所述存储器单元；以及

至少部分基于通过所述第二组晶体管而感测存储有所述第二逻辑值的所述存储器单元，从所述感测组件读取对应于所述第一逻辑值的输出电压。