[发明专利]一种CoWP兼容性的半水基清洗液、其制备方法及应用

说明书

本发明公开了一种CoWP兼容性的半水基清洗液、其制备方法及应用。本发明的半水基清洗液由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：5％‑70％的溶剂、0.5％‑20％的醇胺、0.1％‑20％的季铵碱、0.1％‑15％的缓蚀剂、0.1％‑10％的钝化剂、0.01％‑20％的螯合剂、0.1％‑10％的两性表面活性剂、0.1％‑10％的非离子型表面活性剂和余量的水，所述的质量分数为各组分质量占原料的总质量的百分比。本发明的半水基清洗液能适应CoWP等金属环境，对多种金属及电介质的缓蚀性强，清洗效果佳。

技术领域

本发明涉及一种CoWP兼容性的半水基清洗液、其制备方法及应用。

背景技术

在芯片制造技术中，当线宽技术节点达到32nm及以下时，可能会引入CoWP等金属作为铜互联金属线的封盖层，以避免全铜互联金属线结构的电迁移等可靠性损失。但引入铜以外的金属，尤其是钴和钨，会对清洗制程(等离子刻蚀后残余物和/或灰化后残余物清洗)带来影响，以往适用于铜互联清洗的清洗液，往往可能会带来钴和钨的腐蚀及清洗异常。为了适应新的技术节点，需开发全新的清洗液。

另外，目前在等离子刻蚀残余物清洗液领域，市场上大多数清洗液均为水基含氟或含羟胺类清洗液，这类清洗液难以适用于多种金属及电介质共存的清洗环境，缓蚀性能存在缺陷，因此开发缓蚀性强的无氟无羟胺清洗液是市场需求所在。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有的清洗液难以适用于多种金属及电介质共存的清洗环境、缓蚀性差等缺陷，而提供了一种CoWP兼容性的半水基清洗液、其制备方法及应用。本发明的半水基清洗液能适应CoWP等金属环境，对多种金属及电介质的缓蚀性强，清洗效果佳。

本发明通过以下技术方案来解决上述技术问题。

本发明提供了一种半水基清洗液，其由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：5％-70％的溶剂、0.5％-20％的醇胺、0.1％-20％的季铵碱、0.1％-15％的缓蚀剂、0.1％-10％的钝化剂、0.01％-20％的螯合剂、0.1％-10％的两性表面活性剂、0.1％-10％的非离子型表面活性剂和余量的水，所述的质量分数为各组分质量占原料的总质量的百分比；

其中，所述的溶剂为甘油酸；

所述的钝化剂为三((5-(吡唑-4-基)吡啶-2-基)甲基)；

所述的非离子型表面活性剂为EO-PO聚合物L42、EO-PO聚合物L43和EO-PO聚合物L44中的一种或多种。

所述的半水基清洗液中，所述的溶剂的质量分数可为10％-60％，优选20％-40％(例如20％、25％、40％)，所述的质量分数为所述的溶剂的质量占原料的总质量的百分比。

所述的半水基清洗液中，所述的醇胺可为本领域常规使用的醇胺，优选单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-氨基乙醇、1-氨基-2-丙醇、1-氨基-3-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙胺、三甲醇胺、二甘醇胺、二内醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺和二乙醇单异丙醇胺中的一种或多种，更优选单乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺和异丙醇胺中的一种或多种。

所述的半水基清洗液中，所述的醇胺的质量分数可为1％-10％，优选5％-7％(例如5％、6％、7％)，所述的质量分数为所述的醇胺的质量占原料的总质量的百分比。