[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供待刻蚀材料层；

于所述待刻蚀材料层的表面形成第一掩膜层；

对所述第一掩膜层的部分区域进行图形化处理，以得到包括图形化区域的第一图形化掩膜层，所述图形化区域内包括若干个间隔排布的图形结构；

于所述图形结构的表面、相邻所述图形结构的间隙底部及所述第一图形化掩膜层的表面形成侧墙材料层；

于所述侧墙材料层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层填满相邻图形结构之间的间隙，并覆盖所述侧墙材料层；

对所述第二掩膜层进行图形化处理，以得到第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层位于所述图形化区域外侧；所述第二图形化掩膜层包括开口，所述第开口定义出定第二沟槽的形状及位置，且暴露出所述侧墙材料层；

基于所述第二图形化掩膜层对所述侧墙材料层、所述第一图形化掩膜层及所述待刻蚀材料层进行刻蚀；及

去除所述第二图形化掩膜层；并继续刻蚀所述待刻蚀材料层以于所述待刻蚀材料层内形成第一沟槽及第二沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一沟槽及所述第二沟槽之后还包括去除所述图形化掩膜结构的步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：于所述待刻蚀材料层的表面形成所述第一掩膜层包括如下步骤：

于所述待刻蚀材料层的表面形成旋涂碳层；及

于所述旋涂碳层的表面形成氮氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述待刻蚀材料层包括第一待刻蚀材料层及第二待刻蚀材料层，所述第二待刻蚀材料层位于所述第一待刻蚀材料层的表面，且所述第一掩膜层形成于所述第二待刻蚀材料层的表面。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：对所述待刻蚀材料层进行刻蚀之后还包括去除所述第二待刻蚀材料层的步骤。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述侧墙材料层的厚度小于相邻所述图形结构之间间隙的宽度的一半且小于所述图形结构的高度，以确保形成所述侧墙材料层之后，相邻所述图形结构之间具有凹槽；所述图形结构的宽度等于所述凹槽的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：对所述第一掩膜层的部分区域进行图形化处理包括如下步骤：

于所述第一掩膜层的表面形成第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光显影以得到第一图形化光刻胶层，所述第一图形化光刻胶层内形成有定义出所述第一图形结构的光刻胶图形；

基于所述第一图形光刻胶层对所述第一掩膜层进行刻蚀，以形成所述第一图形化掩膜层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一图形化掩膜层之后还包括去除所述第一图形化光刻胶层的步骤。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：对所述第二掩膜层进行图形化处理包括如下步骤：

于所述第二掩膜层的表面形成第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光显影以得到第二图形化光刻胶层，所述第二图形化光刻胶层内形成有定义出所述开口的开口图形；

基于所述第二图形光刻胶层对所述第二掩膜层进行刻蚀，以形成所述第二图形化掩膜层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二图形化掩膜层之后还包括去除所述第二图形化光刻胶层的步骤。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽包括位线沟槽或字线沟槽。