[发明专利]巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法有效
申请号: | 202010213105.0 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN111240160B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 李葆轩;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 巨型 版图 拆分 边界 二次 曝光 模拟 光学 近邻 修正 方法 | ||
1.巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、提供多个掩膜版选项进行二次曝光的模型设置,其中每个所述掩膜版选项包含两个掩膜版层以及背景层的选项,该两个掩膜版层分别定义为版图层和除了该版图层以及背景层以外的区域;
步骤二、利用所述模型设置进行OPC脚本设置,其中将所述每个掩膜版选项与所述掩膜版选项中的掩膜版层选项以及背景层选项分别在所述OPC脚本中进行对应指定;
步骤三、亚分辨辅助图形优化,其中将相邻两个所述掩膜版的交叠区域中的亚分辨辅助图形退回至非交叠状态;
步骤四、对所述每个掩膜版中的版图层进行OPC预处理,其中设置彼此相邻的两个所述掩膜版中的版图层相互交叠区域的宽度使得OPC修正后结果正常;
步骤五、将导致不收敛的所述掩膜版分段进行冻结,之后进行OPC修正;
步骤六、将彼此相互交叠的所述版图层中的目标分段外移以防止二次曝光产生断线。
2.根据权利要求1所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤一中提供两个所述掩膜版选项进行二次曝光的模型设置。
3.根据权利要求1所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤一中所述每个掩膜版选项中的所述版图层设置其透光率为6.3%,该掩膜版选项中的所述背景层设置为全透光;该掩膜版选项中除了所述版图层以及背景层以外的区域设置为不透光。
4.根据权利要求3所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤二中在所述OPC脚本中进行对应指定前将除了所述版图层以及背景层以外的区域独立生成区域版图。
5.根据权利要求1所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤三中将所述相邻两个掩膜版的交叠区域中的亚分辨辅助图形退回至非交叠状态中的所述非交叠状态包括:所述相邻两个掩膜版的边界间隔为0~20nm。
6.根据权利要求1所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤四中设置彼此相邻的两个所述掩膜版中的版图层相互交叠区域的宽度为50~100nm。
7.根据权利要求1所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤四中设置彼此相邻的两个所述掩膜版中的版图层相互交叠区域的宽度为50nm。
8.根据权利要求6或7所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤四中使得OPC修正后结果正常的方法包括:避免因交叠区域太小产生光阻效应以及避免因交叠区域太大产生远小于建模尺寸的图形。
9.根据权利要求1所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤五中将导致不收敛的所述掩膜版分段进行冻结之后、OPC修正前,将因为拆分版图循环反馈参数计算方式变化的分段重新设置评价函数。
10.根据权利要求1所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:步骤六中二次曝光产生断线的情况包括:多次对焦或掩膜版平移误差造成的断线。
11.根据权利要求1所述的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法,其特征在于:该方法为基于CIS工艺中的BSI平台进行的方法。
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