[发明专利]巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法

说明书

本发明提供一种巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法，提供多个掩膜版选项进行二次曝光的模型设置，每个掩膜版选项包含两个掩膜版层及背景层选项，该两个掩膜版层分别定义为版图层和除该版图层以及背景层以外的区域；在OPC脚本中进行对应指定；将相邻两个掩膜版的交叠区域中的亚分辨辅助图形退回至非交叠状态；进行OPC预处理，设置相邻的两个掩膜版中版图层相互交叠区域的宽度；将导致不收敛的掩膜版分段进行冻结。采用本发明的巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法，经OPC修正过后模拟成像验证交叠区域掩膜板尺寸变小，修正方法可行。OPC修正后的掩膜板尺寸对模型友好且修正过后工艺窗口模拟无恶化。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法。

背景技术

对于一些极巨尺寸版图，在版图大到超过一次曝光所允许最大尺寸时，需要拆分成多张版图分别曝光，再将多次曝光的图案拼接成一张完整版图。在相邻曝光范围交界处，将存在二次曝光(LLE)的情况，相比光刻-刻蚀-光刻-刻蚀(litho-etch-litho-etch，LELE)工艺或光刻-冻结-光刻-刻蚀(litho-freeze-litho-etch，LFLE)工艺，LLE工艺简单廉价，但缺点在于第二次曝光将对第一次曝光产生很大影响，难以预测并控制风险。

因此，针对极大尺寸版图横跨多个曝光区域的情况，需要建立一套相邻区域交界处二次曝光的模拟仿真及OPC修正及风险防控方法。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法，用于解决现有技术中的巨型尺寸版图需要进行拆分实施二次曝光的过程中，第二次曝光对第一次曝光产生影响以及存在工艺风险的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法，该方法至少包括：

步骤一、提供多个掩膜版选项进行二次曝光的模型设置，其中每个所述掩膜版选项包含两个掩膜版层以及背景层的选项，该两个掩膜版层分别定义为版图层和除了该版图层以及背景层以外的区域；

步骤二、利用所述模型设置进行OPC脚本设置，其中将所述每个掩膜版选项与所述掩膜版选项中的掩膜版层选项以及背景层选项分别在所述OPC脚本中进行对应指定；

步骤三、亚分辨辅助图形优化，其中将所述相邻两个掩膜版的交叠区域中的亚分辨辅助图形退回至非交叠状态；

步骤四、对所述每个掩膜版中的版图层进行OPC预处理，其中设置彼此相邻的两个所述掩膜版中的版图层相互交叠区域的宽度使得OPC修正后结果正常；

步骤五、将导致不收敛的所述掩膜版分段进行冻结，之后进行OPC修正；

步骤六、将彼此相互交叠的所述版图层中的目标分段外移以防止二次曝光产生断线。

优选地，步骤一中提供两个所述掩膜版选项进行二次曝光的模型设置。

优选地，步骤一中所述每个掩膜版选项中的所述版图层设置其透光率为6.3％，该掩膜版选项中的所述背景层设置为全透光；该掩膜版选项中除了所述版图层以及背景层以外的区域设置为不透光。

优选地，步骤二中在所述OPC脚本中进行对应指定前将除了所述版图层以及背景层以外的区域独立生成区域版图。

优选地，步骤三中将所述相邻两个掩膜版的交叠区域中的亚分辨辅助图形退回至非交叠状态中的所述非交叠状态包括：所述相邻两个掩膜版的边界间隔为0～20nm。

优选地，步骤四中设置彼此相邻的两个所述掩膜版中的版图层相互交叠区域的宽度为50～100nm。

优选地，步骤四中设置彼此相邻的两个所述掩膜版中的版图层相互交叠区域的宽度为50nm。