[发明专利]发光装置和投影仪有效

专利信息
申请号: 202010216358.3 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN111755580B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 西冈大毅;岸野克巳 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社;学校法人上智学院
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00;G03B21/20
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 投影仪
【权利要求书】:

1.一种发光装置,该发光装置具有:

基体;以及

层叠体,其设置于所述基体,具有多个柱状部,

所述柱状部具有:

n型的第1半导体层;

p型的第2半导体层;

发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;以及

第3半导体层,其带隙比所述发光层的带隙大,

所述第3半导体层具有:

第1部分,其设置在所述发光层与所述第2半导体层之间;以及

第2部分,其与所述发光层的侧面接触,

所述第2部分的杂质浓度比所述第1部分的杂质浓度低。

2.一种发光装置,该发光装置具有:

基体;以及

层叠体,其设置于所述基体,具有多个柱状部,

所述柱状部具有:

n型的第1半导体层;

p型的第2半导体层;

发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;以及

第3半导体层,其带隙比所述发光层的带隙大,

所述第3半导体层具有:

第1部分,其设置在所述发光层与所述第2半导体层之间;以及

第2部分,其与所述发光层的侧面接触,

所述柱状部具有夹着所述发光层的第1引导层和第2引导层,

所述第2引导层设置在所述发光层与所述第2半导体层之间,

所述第1部分设置在所述发光层与所述第2引导层之间。

3.一种发光装置,该发光装置具有:

基体;以及

层叠体,其设置于所述基体,具有多个柱状部,

所述柱状部具有:

n型的第1半导体层;

p型的第2半导体层;

发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;以及

第3半导体层,其带隙比所述发光层的带隙大,

所述第3半导体层具有:

第1部分,其设置在所述发光层与所述第2半导体层之间;以及

第2部分,其与所述发光层的侧面接触,

所述柱状部具有夹着所述发光层的第1引导层和第2引导层,

所述第2引导层设置在所述发光层与所述第2半导体层之间,

所述第1部分设置在所述第2引导层与所述第2半导体层之间。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中,

所述第3半导体层是p型的半导体层,

所述第3半导体层的杂质浓度比所述第2半导体层的杂质浓度高。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中,

所述第2部分的厚度比所述第1部分的厚度小。

6.根据权利要求2至3中的任意一项所述的发光装置,其中,

所述第2部分的杂质浓度比所述第1部分的杂质浓度低。

7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光装置,其中,

所述第3半导体层不与所述第1半导体层接触。

8.一种投影仪,其具有权利要求1至7中的任意一项所述的发光装置。

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