[发明专利]发光装置和投影仪有效
申请号: | 202010216358.3 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111755580B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 西冈大毅;岸野克巳 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社;学校法人上智学院 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00;G03B21/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 投影仪 | ||
1.一种发光装置,该发光装置具有:
基体;以及
层叠体,其设置于所述基体,具有多个柱状部,
所述柱状部具有:
n型的第1半导体层;
p型的第2半导体层;
发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;以及
第3半导体层,其带隙比所述发光层的带隙大,
所述第3半导体层具有:
第1部分,其设置在所述发光层与所述第2半导体层之间;以及
第2部分,其与所述发光层的侧面接触,
所述第2部分的杂质浓度比所述第1部分的杂质浓度低。
2.一种发光装置,该发光装置具有:
基体;以及
层叠体,其设置于所述基体,具有多个柱状部,
所述柱状部具有:
n型的第1半导体层;
p型的第2半导体层;
发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;以及
第3半导体层,其带隙比所述发光层的带隙大,
所述第3半导体层具有:
第1部分,其设置在所述发光层与所述第2半导体层之间;以及
第2部分,其与所述发光层的侧面接触,
所述柱状部具有夹着所述发光层的第1引导层和第2引导层,
所述第2引导层设置在所述发光层与所述第2半导体层之间,
所述第1部分设置在所述发光层与所述第2引导层之间。
3.一种发光装置,该发光装置具有:
基体;以及
层叠体,其设置于所述基体,具有多个柱状部,
所述柱状部具有:
n型的第1半导体层;
p型的第2半导体层;
发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;以及
第3半导体层,其带隙比所述发光层的带隙大,
所述第3半导体层具有:
第1部分,其设置在所述发光层与所述第2半导体层之间;以及
第2部分,其与所述发光层的侧面接触,
所述柱状部具有夹着所述发光层的第1引导层和第2引导层,
所述第2引导层设置在所述发光层与所述第2半导体层之间,
所述第1部分设置在所述第2引导层与所述第2半导体层之间。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中,
所述第3半导体层是p型的半导体层,
所述第3半导体层的杂质浓度比所述第2半导体层的杂质浓度高。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中,
所述第2部分的厚度比所述第1部分的厚度小。
6.根据权利要求2至3中的任意一项所述的发光装置,其中,
所述第2部分的杂质浓度比所述第1部分的杂质浓度低。
7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光装置,其中,
所述第3半导体层不与所述第1半导体层接触。
8.一种投影仪,其具有权利要求1至7中的任意一项所述的发光装置。
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