[发明专利]发光装置和投影仪

说明书

提供发光装置和投影仪，能够减少表面复合。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置于所述基体，具有多个柱状部，所述柱状部具有：n型的第1半导体层；p型的第2半导体层；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及第3半导体层，其带隙比所述发光层的带隙大，所述第3半导体层具有：第1部分，其设置在所述发光层与所述第2半导体层之间；以及第2部分，其与所述发光层的侧面接触。

技术领域

本发明涉及发光装置和投影仪。

背景技术

半导体激光器被期待作为高亮度的下一个代光源。特别是，可期待具有被称为纳米柱(nanocolumn)、纳米线(nanowire)、纳米棒(nanorod)、纳米支柱(nanopillar)等纳米构造的半导体激光器能够实现通过光子晶体效果以狭放射角获得高输出的发光的发光装置。

例如，在专利文献1中公开了一种发光元件，该发光元件在导电性基板上具有多个纳米柱，在相邻的纳米柱之间埋入有绝缘层。纳米柱具有由氮化物半导体或氧化物半导体构成的发光层。

专利文献1：日本特开2008-244302号公报

在专利文献1所公开的发光元件中，在发光层的侧面形成悬挂键，有可能产生表面复合。当在发光层的侧面产生表面复合时，发光效率下降。

发明内容

本发明的发光装置的一个方式具有：

基体；以及

层叠体，其设置于所述基体，具有多个柱状部，

所述柱状部具有：

n型的第1半导体层；

p型的第2半导体层；

发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及

第3半导体层，其带隙比所述发光层的带隙大，

所述第3半导体层具有：

第1部分，其设置在所述发光层与所述第2半导体层之间；以及

第2部分，其与所述发光层的侧面接触。

在本发明的发光装置的一个方式中，也可以是，

所述第3半导体层是p型的半导体层，

所述第3半导体层的杂质浓度比所述第2半导体层的杂质浓度高。

在本发明的发光装置的一个方式中，也可以是，

所述第2部分的厚度比所述第1部分的厚度小。

在本发明的发光装置的一个方式中，也可以是，

所述第2部分的杂质浓度比所述第1部分的杂质浓度低。

在本发明的发光装置的一个方式中，也可以是，

所述柱状部具有夹着所述发光层的第1引导层和第2引导层，

所述第2引导层设置在所述发光层与所述第2半导体层之间，

所述第1部分设置在所述发光层与所述第2引导层之间。

在本发明的发光装置的一个方式中，也可以是，

所述柱状部具有夹着所述发光层的第1引导层和第2引导层，

所述第2引导层设置在所述发光层与所述第2半导体层之间，

所述第1部分设置在所述第2引导层与所述第2半导体层之间。

在本发明的发光装置的一个方式中，也可以是，