[发明专利]半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010216360.0 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN111916355A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 传田俊男;市村裕司 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/48
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;周春燕
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:

准备工序,准备基板和外部连接端子;

平板状框体成型工序,将包含半固化状态的热固性树脂的第1半固化部件成型,所述第1半固化部件呈平板状且形成有贯穿正面和背面的开口部且在所述正面形成有凹陷的图案;以及

壳体制造工序,以覆盖所述第1半固化部件的所述开口部的方式将所述基板配置于所述背面,将所述外部连接端子配置于所述图案,制造包含固定有所述基板和所述外部连接端子的第1平板状框体的壳体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,在所述平板状框体成型工序中,包括将液状的热固性树脂和粉末状的无机填料混合,进行加热而形成粉末状的半固化原料的工序。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,在所述平板状框体成型工序中,包括将所述半固化原料填充于预定的第1模具内,按压所述第1模具内的所述半固化原料而将所述第1半固化部件成型的工序。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,在所述壳体制造工序中,包括将配置有所述外部连接端子和所述基板的所述第1半固化部件加热而使所述第1半固化部件固化的工序。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述壳体制造工序中的加热温度为120℃以上且180℃以下。

6.根据权利要求2~5中任一项所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,在所述平板状框体成型工序中,将第2半固化部件成型,所述第2半固化部件呈平板状且呈与所述第1半固化部件的外周缘对应的环状且包含半固化状态的热固性树脂,

在所述壳体制造工序中,在配置有所述基板和所述外部连接端子的所述第1半固化部件的所述正面配置所述第2半固化部件,制造进一步含有与所述第1平板状框体一体化的第2平板状框体的所述壳体。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,在所述壳体制造工序中,包括将所述第1半固化部件和配置于所述第1半固化部件的所述正面的所述第2半固化部件一起加热而使所述第1半固化部件和所述第2半固化部件固化的工序。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述第2平板状框体由与所述第1平板状框体相同的材料构成。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,在所述平板状框体成型工序中,包括将所述半固化原料填充于预定的第2模具内,按压所述第2模具内的所述半固化原料而将所述第2半固化部件成型的工序。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述平板状框体成型工序包括与所述第1半固化部件一起形成半固化端子支撑部件的工序,所述半固化端子支撑部件呈平板状且在正面形成有凹陷的支撑图案且包含半固化状态的热固性树脂,

在所述壳体制造工序中,包括将配置于所述第1半固化部件的所述外部连接端子的从所述第1半固化部件突出的部分配置于所述半固化端子支撑部件的所述支撑图案的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,在所述壳体制造工序中,包括将所述半固化端子支撑部件和所述第1半固化部件一起加热而使所述半固化端子支撑部件和所述第1半固化部件固化的工序。

12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述半导体装置的制造方法还包括在所述壳体制造工序结束后用封装部件将被所述壳体包围的区域封装的封装工序。

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