[发明专利]提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置及方法在审
申请号: | 202010217474.7 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111370352A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 许原诚;时庆楠;李雨;周德榕 | 申请(专利权)人: | 江苏汇成光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/48 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 王峰 |
地址: | 225128 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 驱动 芯片 可靠 电浆源 表面 处理 装置 方法 | ||
1.一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,包括电浆机,电浆机内设置有反应室,反应室处于两个相互对应设置的电极之间,两个电极之间通过电源适配器与射频电源施加有电压,其特征在于,所述反应室内竖直设置有至少两根转轴,转轴的下端与电浆机底部转动连接,转轴的上端向外延伸出电浆机并与旋转驱动机构传动连接,所述转轴上沿轴向间隔设置有若干圆形转盘,转盘与转轴相垂直,转盘表面设置有若干晶圆载台,所述反应室分别与抽真空组件、制程气体输送组件相连接,与所述电浆机的门体相对应地设置有晶圆上下料机构。
2.根据权利要求1所述的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,其特征在于,所述旋转驱动机构包括支撑架,支撑架呈倒U形,支撑架的两竖直部之间设置有加强安装部,支撑架水平部上安装有竖直设置的电机一,加强安装部上安装有减速器,电机一经联轴器与减速器的输入端传动连接,减速器的输出端经联轴器与转轴伸出端传动连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,其特征在于,所述至少两根转轴对称分布在反应室内,所述转盘设置有至少三个,转盘上位于转轴的前后两侧均设置有至少三排晶圆载台,靠近转轴的一排晶圆载台设置有至少五个,中间的一排晶圆载台设置有至少三个,远离转轴的一排晶圆载台设置有至少一个,位于转轴前后两侧的各晶圆载台对称分布。
4.根据权利要求1或2所述的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,其特征在于,所述抽真空组件包括两个并列设置的真空泵,两个真空泵分别通过一抽真空分管与三通接头左右两侧的接口相连,三通接头顶部接口通过抽真空总管与反应室相连通,抽真空总管上设置有电磁阀一,抽真空分管上设置有手动阀。
5.根据权利要求1或2所述的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,其特征在于,所述制程气体输送组件包括氮气源,氮气源经供气总管依次与流量计、电磁阀二和换热器相连接,电浆机沿水平方向的截面为矩形,电浆机的四个边角分别通过一供气分管与供气总管相连通,供气分管呈L形,各供气分管端部均与反应室相连通;所述反应室底部设置有两组左右对称的导流组件,所述导流组件包括若干从反应室边缘向反应室中部上下交错排列设置的导流板,导流板的长度方向与反应室的长度方向垂直,上侧的导流板与供气分管出口相对应设置,下侧的导流板在竖直方向位于供气分管出口的下方。
6.根据权利要求1或2所述的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,其特征在于,所述电浆机一侧连接有与反应室相连通的真空计,所述电浆机侧面还连接有与反应室相连通的进气管,进气管上设置有电磁阀三。
7.根据权利要求1或2所述的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,其特征在于,所述晶圆上下料机构包括横向设置的导轨一,导轨一轴线方向与电浆机的长度方向平行,导轨一上滑动连接有移动底座,移动底座上一体设置有电机座,电机座所在平面位于移动底座所在平面的下方,电机座上安装有电机二,电机二的输出轴上套设有齿轮,导轨一侧面对应齿轮沿长度方向设置有齿条,所述齿轮与齿条相啮合,所述移动底座上设置有安装座,安装座上竖直设置有立架,立架右侧中部竖直设置有导轨二,导轨二上通过滑块滑动连接有水平的升降架,立架上位于导轨二的前后两侧均竖直设置有可转动的丝杠,两根丝杠上的丝杠螺母与滑块对应一侧传动连接,升降架的长度方向与导轨一的长度方向垂直,升降架上沿长度方向设置有导轨三,升降架上通过导轨三滑动连接有料架,料架底部对应导轨三设置有滑槽,升降架的左右两侧均设置有气缸,气缸的活塞杆与料架的长度方向平行,两气缸的活塞杆伸出端分别通过连接件与料架的左右两侧相连接,料架的前端对应转盘设置有吸料组件,所述吸料组件包括若干互相平行的横向杆,各横向杆与转盘前侧或后侧的各排晶圆载台一一对应设置,前后相邻的两根横向杆之间设置有纵向连接杆,所述横向杆下侧沿长度方向依次间隔设置有若干真空吸盘,各真空吸盘与各晶圆载台一一对应设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造