[发明专利]提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置及方法在审
申请号: | 202010217474.7 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111370352A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 许原诚;时庆楠;李雨;周德榕 | 申请(专利权)人: | 江苏汇成光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/48 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 王峰 |
地址: | 225128 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 驱动 芯片 可靠 电浆源 表面 处理 装置 方法 | ||
本发明公开了半导体集成电路领域内的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置及方法,装置包括电浆机,电浆机内设置有反应室,反应室处于两个相互对应设置的电极之间,两个电极之间通过电源适配器与射频电源施加有电压,所述反应室内竖直设置有至少两根转轴,所述转轴上沿轴向间隔设置有若干圆形转盘,转盘与转轴相垂直,转盘表面设置有若干晶圆载台,所述反应室分别与抽真空组件、制程气体输送组件相连接,与所述电浆机的门体相对应地设置有晶圆上下料机构;方法包括将晶圆放入反应室进行氮气电浆处理。本发明能够降低阻障层的钛或钛钨氧化成氧化钛,达到提高液晶屏幕驱动芯片金凸块可靠度的目的。
技术领域
本发明属于半导体集成电路领域,特别涉及一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置及方法。
背景技术
现有技术中,在半导体封装制造业液晶屏幕驱动芯片金凸块制程工艺中,常规制程为溅射凸块阻障层(UBM, under bump metal)后,以黄光光阻制程定义凸块位置,经由化学电镀或无电解电镀将金沉积在晶圆上型成金凸块,再藉由湿法刻蚀将光阻与多余的凸块阻障层去除。
凸块阻障层可为钛或钛钨,一般以双氧水进行氧化反应达到蚀刻的效果, 发生反应:TiW + 2H2O2 →TiO2 + W + 2H2O,Ti + 2H2O2 →TiO2 + 2H2O;因此以双氧水为蚀刻液的凸块阻障层表面为氧化钛。由于凸块阻障层可为钛或钛钨,因钛或钛钨与金凸块之间为不同金属,有电位差存在,在含氧或含水气环境中容易让钛或钛钨氧化形成氧化钛,而氧化钛形成后,容易吸附水气,表面烃基(-OH)变多,加速阻障层氧化速率,导致可靠度失效。
液晶屏幕驱动芯片金凸块制造完成, 后续还需经过电性测试,研磨,切割,与封装工序, 在封装完成前皆曝露在大气中,将无法避免与氧气、水气接触。在电性测试过程中会在金凸块上给予电压,或者受热,这些都会加速凸块阻障层钛或钛钨氧化,导致可靠度失效。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,能够通过反应室对晶圆进行处理,利用氮气电浆降低金凸块阻障层的钛或钛钨氧化成氧化钛,达到提高液晶屏幕驱动芯片金凸块可靠度的目的。
本发明的目的是这样实现的:一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置,包括电浆机,电浆机内设置有反应室,反应室处于两个相互对应设置的电极之间,两个电极之间通过电源适配器与射频电源施加有电压,所述反应室内竖直设置有至少两根转轴,转轴的下端与电浆机底部转动连接,转轴的上端向外延伸出电浆机并与旋转驱动机构传动连接,所述转轴上沿轴向间隔设置有若干圆形转盘,转盘与转轴相垂直,转盘表面设置有若干晶圆载台,所述反应室分别与抽真空组件、制程气体输送组件相连接,与所述电浆机的门体相对应地设置有晶圆上下料机构。
本装置工作时,晶圆上下料机构先将晶圆送入反应室内各转盘的晶圆载台上,然后抽真空组件将反应室内的空气抽出,再通过制程气体输送组件将氮气输入反应室,旋转驱动机构带动各转盘转动,通过氮气电浆对晶圆金凸块底部的阻障层进行处理,使得阻障层表面的TiO2改质成NTiO2,杜绝了水汽中羟基与TiO2结合,避免了水汽将其氧化;凸块底部阻障层表面的Ti改质成TiN,形成钝化层,杜绝其变成TiO2,避免了氧气氧化;最终实现完全阻绝了阻障层的氧化,提高了凸块的可靠性;晶圆处理完成后,晶圆上下料机构将晶圆取出,并送到指定下料位置。与现有技术相比,本发明的有益效果在于:晶圆上下料机构可以实现对晶圆进行自动上下料,处理更加方便,提高工作效率;晶圆转动时进行电浆处理,可以确保阻障层表面的TiO2和Ti与氮气电浆充分接触;设置多个转盘同时对晶圆处理,可以提高晶圆的处理效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造