[发明专利]沟槽型IGBT器件结构

权利要求书

1.一种沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，包括若干个沿第一导电类型的衬底表面间隔排布的器件单元，并包括：

第一导电类型的衬底；

第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；

沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；

沟槽发射极，位于所述第二导电类型的漂移区内，且位于所述沟槽栅极一侧，与所述沟槽栅极具有间隙；

采用所述沟槽栅极和沟槽发射极，将沟道从横向变为纵向；

绝缘隔离结构，位于所述沟槽栅极与所述沟槽发射极之间，所述绝缘隔离结构贯穿所述第二导电类型的漂移区并延伸至所述第一导电类型的衬底内。

2.根据权利要求1所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述绝缘隔离结构的上表面高于所述沟槽栅极的上表面及所述沟槽发射极的上表面；所述绝缘隔离结构的下表面低于所述沟槽栅极的下表面及所述沟槽发射极的下表面。

3.根据权利要求2所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述绝缘隔离结构包括氧化物填充结构。

4.根据权利要求1所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述沟槽栅极包括：

栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；

栅氧化层，位于所述栅极与所述第二导电类型的漂移区之间。

5.根据权利要求1所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述沟槽发射极包括：

发射极，位于所述第二导电类型的漂移区内；

发射极氧化层，位于所述发射极与所述第二导电类型的漂移区之间。

6.根据权利要求1中所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，通过设置器件单元的数量来设置沟槽栅型IGBT半导体器件结构中元胞的数量，各所述器件单元均包括：

第二导电类型的载流子埋层，位于所述第二导电类型的漂移区上；

第一导电类型的基区，位于所述第二导电类型的载流子埋层上；

第二导电类型的源区，位于所述第一导电类型的基区内；

两个所述沟槽栅极，两个所述沟槽栅极分别位于所述第一导电类型的基区相对的两侧；

两个所述沟槽发射极，两个所述沟槽发射极分别位于所述第一导电类型的基区相对的两侧，且位于所述沟槽栅极远离所述第一导电类型的基区一侧；

两个所述绝缘隔离结构，分别位于所述第一导电类型的基区相对的两侧。

7.根据权利要求6所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，还包括空穴沟道层，位于相邻的两个所述器件单元之间。

8.根据权利要求7所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，还包括：

缓冲层，位于所述第一导电类型的衬底远离所述第二导电类型的漂移区的表面。

9.根据权利要求8所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，还包括：

集电极，位于所述缓冲层远离所述第二导电类型的漂移区的表面。

10.根据权利要求9所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，还包括：

栅极引出电极，位于所述栅极导电层远离所述第一导电类型的衬底的表面；

集电极引出电极，位于所述集电极远离所述第一导电类型的衬底的表面；

发射极引出电极，与所述沟槽发射极电连接。