[发明专利]沟槽型IGBT器件结构有效
申请号: | 202010217515.2 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111261713B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 周晓阳;王亚哲;朱贤龙 | 申请(专利权)人: | 广东芯聚能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 沟槽 igbt 器件 结构 | ||
本发明涉及一种沟槽栅型IGBT半导体器件,包括:第一导电类型的衬底;第二导电类型的漂移区,形成于所述第一导电类型的衬底内;沟槽栅极,位于所述第二导电类型的漂移区内;沟槽发射极,位于所述第二导电类型的漂移区内,且位于所述沟槽栅极一侧,与所述沟槽栅极具有间隙;绝缘隔离结构,位于所述沟槽栅极与所述沟槽发射极之间。由于采用了沟槽栅极和沟槽发射极,将沟道从横向变为纵向,减小了沟槽型IGBT器件结构沟道电阻;采用沟槽栅结构,可以缩小元胞尺寸,大大提高元胞密度,每个芯片的沟道总宽度增加,减小了沟道电阻;绝缘隔离结构有效地减小了沟槽栅极与沟槽发射极之间的无效沟槽,可以提高响应速度,增大安全工作区。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种沟槽型IGBT器件结构。
背景技术
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单的特点,被广泛应用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。
目前,IGBT朝着高功率密度、高开关速度与低功耗的方向发展,由于提高IGBT的导通压降会增强其导通时的电导调制效应,会导致IGBT在关断时大量的载流子花费更长的时间去完成复合,从而会增加IGBT的关断损耗。
为了进一步提高IGBT的功率密度、工作结温及工作的可靠性,需要继续优化降低IGBT的导通压降与关断损耗的折中关系,实现更低的功耗。
发明内容
基于此,有必要提供一种能够提高导通损耗和导通压降之间的平衡并且能够减少无效沟槽,提高响应速度,增大安全工作区的沟槽型IGBT器件结构。
为实现上述目的,本发明提供一种沟槽栅型IGBT半导体器件,包括:
第一导电类型的衬底;
第二导电类型的漂移区,形成于所述第一导电类型的衬底内;
沟槽栅极,位于所述第二导电类型的漂移区内;
沟槽发射极,位于所述第二导电类型的漂移区内,且位于所述沟槽栅极一侧,与所述沟槽栅极具有间隙;
绝缘隔离结构,位于所述沟槽栅极与所述沟槽发射极之间。
于上述实施例中,由于采用了沟槽栅极和沟槽发射极,将沟道从横向变为纵向,减小了沟槽型IGBT器件结构沟道电阻;采用沟槽栅结构,可以缩小元胞尺寸,大大提高元胞密度,每个芯片的沟道总宽度增加,减小了沟道电阻。另一方面,沟槽栅极中的多晶硅栅的面积增大,减少了分布电阻,有利于提高开关速度。可以设置绝缘隔离结构从第二导电类型的漂移区表面贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内,使得沟槽栅型IGBT半导体器件结构表面和第一导电类型的衬底存在等势作用,绝缘隔离结构底部的电势被表面限制,从而提高了器件的稳定性。绝缘隔离结构有效地减小了沟槽栅极与沟槽发射极之间的无效沟槽,可以提高响应速度,增大安全工作区。
在其中一个实施例中,所述绝缘隔离结构的上表面高于所述沟槽栅极的上表面及所述沟槽发射极的上表面;所述绝缘隔离结构的下表面低于所述沟槽栅极的下表面及所述沟槽发射极的下表面。
在其中一个实施例中,所述绝缘隔离结构包括氧化物填充结构,通过在所述绝缘隔离结构中设置氧化物填充结构,可以使得绝缘隔离结构形成电容器,有效地减小了沟槽栅极与沟槽发射极之间的无效沟槽,减小了沟槽型IGBT器件结构沟道电阻,可以提高响应速度,增大安全工作区。
在其中一个实施例中,所述沟槽栅极包括:
栅极,位于所述第二导电类型的漂移区内;
栅氧化层,位于所述栅极与所述第二导电类型的漂移区之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东芯聚能半导体有限公司,未经广东芯聚能半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010217515.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类