[发明专利]电介质膜及电子部件

说明书

本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC₂O₅表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。由此，能够提供相对介电常数在高频段中较高的电介质膜。

技术领域

本发明涉及电介质膜及电子部件。

背景技术

近年来，以智能手机为代表的移动体通信设备中，为了可进行高速且大容量的通信，使用的频段的数量不断增加。使用的频段是GHz频段那样的高频段。在这种高频段中工作的平衡－不平衡变换器、耦合器、滤波器、或组合了滤波器的双工器、天线共用器等的高频部件中，存在将电介质材料用作谐振器的情况。

另外，随着移动体通信设备的高性能化，搭载于一个移动体通信设备的电子部件的数量也存在增加的倾向，为了维持移动体通信设备的尺寸，要求也同时使电子部件小型化。为了将使用电介质材料的高频部件小型化，需要缩小电极面积，因此，为了弥补这样引起的静电电容的降低，在高频段中要求电介质材料的相对介电常数较高。

专利文献1中公开了具有与Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃这样的化学计量组成不同的组成的电介质磁器，并公开了该电介质磁器的相对介电常数为24左右。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-319162号公报。

发明内容

发明所要解决的问题

但是，专利文献1所公开的电介质磁器为烧结体，因此，为了呈现专利文献1所公开的介电特性，需要设为具有充分的体积的烧结体。因此，作为适用于高频段中使用的高频部件的电介质材料，存在尺寸过大的问题。

本发明是鉴于这种实际状况而研发的，其目的在于，提供在高频段中相对介电常数高的电介质膜。

用于解决问题的技术手段

为了达成所述目的，本发明的方式提供一种电介质膜，

[1]作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC₂O₅表示的复合氧化物，

A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，

B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，

C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，

x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，

在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。

[2]根据[1]所记载的电介质膜，其中，

复合氧化物的(211)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大，

令(211)面的衍射峰强度为I(211)，(222)面的衍射峰强度为I(222)时，I(211)和I(222)满足1.2≤I(211)/I(222)的关系。

[3]根据[2]所记载的电介质膜，其中，