[发明专利]用于射频信号装置及其制造方法在审
申请号: | 202010217778.3 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111755793A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | F·皮维特;S·布尔加 | 申请(专利权)人: | 诺基亚通信公司 |
主分类号: | H01P7/10 | 分类号: | H01P7/10;H01P1/20;H01P11/00;H05K1/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 射频 信号 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),包括:
导电材料的第一层(110;110'),
导电材料的第二层(120;120'),以及
包括固体介电材料的至少一个介电层(130;130'),所述至少一个介电层(130;130')被布置在所述第一层(110;110')与所述第二层(120;120')之间,
其中包括多个谐振器柱(141,142,143)的至少一个分布式谐振器结构(140;140a,140b,140c)被布置在所述至少一个介电层(130;130')中。
2.根据权利要求1所述的电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),其中所述多个谐振器柱(141,142,143)中的至少第一谐振器柱(141)电连接到所述第一层(110),并且其中所述多个谐振器柱(141,142,143)中的至少第二谐振器柱(142)电连接到所述第二层(120)。
3.根据权利要求1所述的电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),其中所述多个谐振器柱(141,142,143)中的至少一个谐振器柱包括通孔(th)或盲孔(bh)中的至少一种孔,其中相应的所述孔(th,bh)的内表面包括导电层(141a,142a,143a)。
4.根据权利要求1所述的电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),其中所述第一层(110)和/或所述第二层(120)是导电镀层或金属化层,所述导电镀层或金属化层被布置在:a)所述介电层(130)的表面(130a,130b)上,和/或b)至少一个另外的介电层(150,160)的表面(150b,160a)上。
5.根据权利要求1所述的电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),其中多个介电层(131,132,133,134)被布置在所述第一层(110;110')与所述第二层(120;120')之间。
6.根据权利要求5所述的电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),其中所述多个介电层(131,132,133,134)中的至少一个介电层包括孔(1411,1412,1413,1414,1421,1422,1423,1424),以用于形成所述多个谐振器柱(141,142,143;141”,142”,143”)中的至少一个谐振器柱的一部分。
7.根据权利要求1所述的电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),其中用于向所述装置(100;100a;100b;100c;100d;100e)提供输入信号(is)的馈电线(172)被布置在所述介电层(130)的表面上并且/或者在至少一个另外的介电层(150,160)的表面(150a)上。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),其中所述介电层(130)包括第一类型的介电材料,并且其中所述至少一个另外的介电层(150,160)包括与所述第一类型不同的第二类型的介电材料。
9.根据权利要求1所述的电子装置(100;100a;100b;100c;100d;100e),其中:
a)导电材料的所述第一层(110;110')和/或导电材料的所述第二层(120;120')包括结构化部分;并且/或者
b)包括结构化部分(172)的导电材料的至少一个另外的层(170)被提供。
10.一种用于射频RF信号(is)的滤波器(1000),包括至少一个根据权利要求1至9中任一项所述的装置(100;100a;100b;100c;100d;100e)。
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