[发明专利]包括光电二极管的电子装置在审
申请号: | 202010218668.9 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111755468A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | A·图尼耶;B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;F·罗伊 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李兴斌 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 光电二极管 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包括:
光电二极管,所述光电二极管包括:
半导体区域,耦合到施加第一电压的节点;和
至少一个半导体壁,至少沿所述光电二极管的高度延伸,所述至少一个半导体壁部分地围绕所述半导体区域。
2.根据权利要求1所述的装置,包括半导体衬底,其中所述光电二极管形成在所述半导体衬底中,并且所述至少一个半导体壁沿着所述半导体衬底的整个高度延伸。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个半导体壁耦合到施加第二电压的节点。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个半导体壁是U形的。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述半导体区域位于由U形的所述至少一个半导体壁界定的凸面区域中。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个半导体壁包括两个半导体壁,每个半导体壁为U形。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述两个半导体壁中的每个半导体壁界定相应的凸面区域,并且所述凸面区域朝向彼此延伸。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个半导体壁具有长方体形状。
9.根据权利要求1所述的装置,包括绝缘沟槽,其中所述半导体区域通过所述绝缘沟槽与所述至少一个半导体壁分离。
10.根据权利要求1所述的装置,包括晶体管,所述晶体管具有耦合在所述光电二极管的阴极与施加正电压的节点之间的源极端子和漏极端子。
11.根据权利要求10所述的装置,包括耦合到所述光电二极管的所述阴极的存储元件。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述存储元件是电子收集区域。
13.根据权利要求1所述的装置,包括至少一个连接垫,所述至少一个连接垫在所述光电二极管上并且耦合到施加正电压的节点。
14.一种方法,包括:
向光电二极管的半导体区域施加第一电压,所述光电二极管包括至少沿所述光电二极管的高度延伸的至少一个半导体壁,所述至少一个半导体壁部分地围绕所述半导体区域;
向所述至少一个半导体壁施加第二电压,所述第二电压为负电压;以及
在施加所述第二电压之后,向所述至少一个半导体壁施加第三电压,所述第三电压是正电压。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述第一电压等于或小于-1V。
16.根据权利要求14所述的方法,其中在施加所述第一电压的同时施加所述第二电压。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述第二电压是电源电压,并且所述第三电压等于或小于-0.5V。
18.一种装置,包括:
光电二极管,包括:
半导体区域,耦合到施加第一电压的节点;
第一半导体壁,部分地围绕所述半导体区域,所述第一半导体壁具有沿着第一方向延伸的第一段,并且具有沿着横向于所述第一方向的第二方向,从所述第一段的相对端延伸的一对第二段;以及
第二半导体壁,与所述第一半导体壁间隔开,并且面向所述第一半导体壁。
19.根据权利要求18所述的装置,其中所述第二半导体壁具有沿着所述第一方向延伸的第三段,并且具有沿着所述第二方向,从所述第三段的相对端延伸的一对第四段。
20.根据权利要求18所述的装置,还包括电耦合在所述光电二极管的阴极与正电压之间的晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的