[发明专利]包括光电二极管的电子装置

说明书

提供了一种包括光电二极管的电子装置。光电二极管包括耦合到施加第一电压的节点的半导体区域和至少一个半导体壁。该至少一个半导体壁至少沿光电二极管的高度延伸并且部分地围绕该半导体区域。

技术领域

本公开总体上涉及包括至少一个光电二极管的电子装置。

背景技术

光电二极管是均包括PN结的半导体组件。光电二极管具有检测在光学域中的辐射并将其转换成电信号的能力。

图像传感器是均包括多个光电二极管的电子装置。光电二极管使装置能够在给定时间获得场景图像。图像由像素阵列形成，每个像素的信息由一个或多个光电二极管获得。例如，该信息通常对应于在给定时间由光电二极管获得的电子的数量，该电子的数量由图像传感器转换成颜色水平(红色、绿色或蓝色)或转换成灰度水平。

但是，在与图像对应的时间之后形成的电子可能会引起由传感器获得的图像中的修改。

发明内容

一个实施例克服了包括光电二极管的已知装置的全部或部分缺点。

一个实施例提供了一种包括光电二极管的电子装置，该光电二极管包括耦合到施加第一电压的节点的区域，该区域被至少沿该光电二极管的高度延伸的至少一个半导体壁部分地围绕。

根据一个实施例，光电二极管形成在半导体衬底中，并且一个或多个壁沿着半导体衬底的整个高度延伸。

根据一个实施例，一个或多个壁耦合到施加第二电压的节点。

根据一个实施例，一个或多个壁中的至少一个是U形的。

根据一个实施例，该区域位于由一个或多个U形壁中的至少一个界定的凸面区域中。

根据一个实施例，装置包括两个壁，每个壁是U形的。

根据一个实施例，由两个壁中的每个壁界定的凸面区域在另一个壁的方向上延伸。

根据一个实施例，装置包括具有长方体形状的至少一个壁。

根据一个实施例，该区域通过绝缘沟槽与一个或多个壁分离。

根据一个实施例，装置包括晶体管，该晶体管通过其源极和其漏极将光电二极管的阴极耦合到施加正电压的节点。

根据一个实施例，装置包括耦合到光电二极管的阴极的存储元件。

根据一个实施例，存储元件是电子收集区域。

根据一个实施例，装置包括至少一个连接垫，该至少一个连接垫设置在耦合到施加正电压的节点的光电二极管上。

另一实施例提供一种使用诸如之前描述的电子装置的方法，方法包括第一步骤和第二步骤，在第一步骤期间第二电压为负电压，在第二步骤期间第二电压为正电压。

将在下面结合附图对特定实施例的非限制性描述中详细讨论前述和其他特征和优点。

附图说明

图1示意性地示出了包括光电二极管的电子装置；

图2以俯视图示意性地示出了包括图1的光电二极管的电子装置的一部分的一个实施例；

图3A是沿着图2的平面A-A的截面图，并且图3B是沿着图2的平面B-B的截面图；以及

图4以俯视图示意性地示出了包括光电二极管的电子装置的另一实施例。

具体实施方式

在不同的附图中，相同的元件用相同的附图标记指定。特别地，不同实施例共有的结构和/或功能元件可以用相同的附图标记指定并且可以具有相同的结构、尺寸和材料性质。