[发明专利]一种像素结构、阵列基板、显示装置和制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，包括层叠设置在衬底上的驱动电路和电致发光器件，其特征在于，所述驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和稳压器件，其中

所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，响应于输入的控制信号将输入的数据信号传输至所述第二薄膜晶体管；

所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，响应于所述数据信号驱动所述电致发光器件发光；

所述稳压器件包括第一端和第二端，所述第一端与输入所述数据信号的数据线电连接，所述第二端与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接，用于稳定输入所述第一薄膜晶体管的源极或漏极的电压；

所述稳压器件为第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的有源层为C轴对称的铟镓锌氧化物。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第三薄膜晶体管的源极或漏极中的一个与栅极电连接。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的像素结构，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为底栅结构、所述第一薄膜晶体管和第三薄膜晶体管为顶栅结构。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的所述第一薄膜晶体管的第一有源层和所述第三薄膜晶体管的第三有源层；

覆盖所述第一有源层、第三有源层和衬底的层间介质层；

设置在所述层间介质层上的第一薄膜晶体管的第一栅极、所述第二薄膜晶体管的第二栅极和所述第三薄膜晶体管的第三栅极；

覆盖所述第一栅极、第二栅极和第三栅极和层间介质层的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上的所述第二薄膜晶体管的第二有源层；

设置在所述栅绝缘层上的所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极、所述第三薄膜晶体管的第三源极和第三漏极、以及设置在所述第二有源层上的所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极，所述第三源极和第三漏极中的一个通过贯通至所述第三栅极的过孔与所述第三栅极电连接，所述第三源极和第三漏极中的另一个与所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极中的一个电连接；

覆盖所述第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极、第二有源层、第三源极和第三漏极、以及栅绝缘层的平坦化层；

设置在所述平坦化层上的所述电致发光器件。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述稳压器件为二极管。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括阵列排布的如权利要求1-5中任一项所述的像素结构。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的阵列基板。

8.一种制作如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成驱动电路，所述驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和稳压器件，其中所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管响应于输入的控制信号将输入的数据信号传输至所述第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管响应于所述数据信号驱动所述电致发光器件发光，所述稳压器件包括第一端和第二端，所述第一端与输入所述数据信号的所述数据线电连接，所述第二端与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接；

在所述驱动电路上形成电致发光器件。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述稳压器件为第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的源极或漏极中的一个与栅极电连接，所述第三薄膜晶体管的有源层为C轴对称的铟镓锌氧化物，所述制作方法包括：

在衬底上形成第一薄膜晶体管的第一有源层和第三薄膜晶体管的第三有源层；

形成覆盖所述第一有源层、第三有源层和衬底的层间介质层；

在所述层间介质层上形成所述第一薄膜晶体管的第一栅极、所述第二薄膜晶体管的第二栅极和所述第三薄膜晶体管的第三栅极；

形成覆盖所述第一栅极、第二栅极和第三栅极和层间介质层的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成所述第二薄膜晶体管的第二有源层；

在所述栅绝缘层上形成所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极、所述第三薄膜晶体管的第三源极和第三漏极、以及在所述第二有源层上形成所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极，所述第三源极和第三漏极中的一个通过贯通至所述第三栅极的过孔与所述第三栅极电连接，所述第三源极和第三漏极中的另一个与所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极中的一个电连接；

形成覆盖所述第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极、第二有源层、第三源极和第三漏极、以及栅绝缘层的平坦化层；

在所述平坦化层上形成所述电致发光器件。