[发明专利]一种像素结构、阵列基板、显示装置和制作方法有效
申请号: | 202010218958.3 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111384070B | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 曾勇;林滨;陈周煜;李梁梁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 阵列 显示装置 制作方法 | ||
本发明公开了一种像素结构、阵列基板、显示装置和制作方法,所述像素结构包括层叠设置在衬底上的驱动电路和电致发光器件,所述驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和稳压器件,其中所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管,所述稳压器件包括第一端和第二端,所述第一端与输入的数据线电连接,所述第二端与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接,用于稳定输入所述第一薄膜晶体管的源极或漏极的电压。本发明提供的实施例通过稳压器件有效避免因数据线引入的低电压导致第一薄膜晶体管漏电的问题,解决现有技术中存在的问题,从而避免显示不良,有效提高显示装置的显示效果,具有广泛的应用前景。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素结构、阵列基板、显示装置和制作方法。
背景技术
有机发光显示器件需要2T1C(两个薄膜晶体管和一个电容)来驱动像素发光。有机发光显示器件主要采用基于低温多晶硅的薄膜晶体管(LTPS)来驱动像素。LTPS具有非常高的迁移率,因此可以获得足够大的电流驱动有机物发光。但是,基于LTPS的薄膜晶体管可能表现出不均匀的过大的漏电流、不足的驱动强度、差的面积效率、磁滞以及其它问题。
苹果公司为了解决以上问题,设置扫描线薄膜晶体管采用低温多晶硅薄膜晶体管,低温多晶硅具有很高的迁移率,能够实现更快的切换速度;而驱动薄膜晶体管采用氧化物薄膜晶体管,氧化物薄膜晶体管具有较低的漏电流,可以提高像素之间均匀性。然而,低温多晶硅薄膜晶体管存在漏电流问题,无法长时间维持稳定的电压。
发明内容
为了解决上述问题至少之一,本发明第一个实施例提供一种像素结构,包括层叠设置在衬底上的驱动电路和电致发光器件,所述驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和稳压器件,其中
所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,响应于输入的控制信号将输入的数据信号传输至所述第二薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管,响应于所述数据信号驱动所述电致发光器件发光;
所述稳压器件包括第一端和第二端,所述第一端与输入所述数据信号的数据线电连接,所述第二端与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接,用于稳定输入所述第一薄膜晶体管的源极或漏极的电压。
进一步的,所述稳压器件为第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的源极或漏极中的一个与栅极电连接。
进一步的,所述第三薄膜晶体管的有源层为C轴对称的铟镓锌氧化物。
进一步的,所述第二薄膜晶体管为底栅结构、所述第一薄膜晶体管和第三薄膜晶体管为顶栅结构。
进一步的,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的所述第一薄膜晶体管的第一有源层和所述第三薄膜晶体管的第三有源层;
覆盖所述第一有源层、第三有源层和衬底的层间介质层;
设置在所述层间介质层上的第一薄膜晶体管的第一栅极、所述第二薄膜晶体管的第二栅极和所述第三薄膜晶体管的第三栅极;
覆盖所述第一栅极、第二栅极和第三栅极和层间介质层的栅绝缘层;
设置在所述栅绝缘层上的所述第二薄膜晶体管的第二有源层;
设置在所述栅绝缘层上的所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极、所述第三薄膜晶体管的第三源极和第三漏极、以及设置在所述第二有源层上的所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极,所述第三源极和第三漏极中的一个通过贯通至所述第三栅极的过孔与所述第三栅极电连接,所述第三源极和第三漏极中的另一个与所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极中的一个电连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的