[发明专利]具有空气间隙的局部互连在审
申请号: | 202010219087.7 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN112038324A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 林启文;S.B.克伦登宁;T.A.特罗尼克;U.阿兰;E.曼内巴赫 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;申屠伟进 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 空气 间隙 局部 互连 | ||
1.一种集成电路,包括:
基底,其包括绝缘介电体;
多个导线,其以间隔开的布置在所述基底上方垂直延伸,所述多个导线包括第一导线和与第一导线相邻的第二导线;
空隙,其横向位于第一与第二导线之间;以及
绝缘材料盖体,其位于所述空隙上方并且限定所述空隙的上边界,使得所述空隙进一步位于所述基底与所述绝缘材料盖体之间。
2.根据权利要求1所述的集成电路,进一步包括:
与所述多个导线中的至少一个的顶部接触的绝缘体,所述绝缘体与所述空隙上方的所述绝缘材料盖体接触。
3.根据权利要求1所述的集成电路,进一步包括:
在第一导线上的第一绝缘体;和
在第二导线上的第二绝缘体,第二绝缘体在成分上与第一绝缘体有区别;
其中所述绝缘材料盖体接触第一绝缘体和第二绝缘体并且在第一绝缘体与第二绝缘体之间延伸。
4.根据权利要求3所述的集成电路,其中第一导线包括第一金属,并且第二导线包括在成分上不同于第一金属的第二金属。
5.根据权利要求1所述的集成电路,进一步包括:
与所述多个导线中的至少一个的顶部接触的导电通孔,所述导电通孔在所述绝缘材料盖体上方垂直延伸。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的集成电路,其中所述基底进一步包括在所述绝缘介电体内的第一接触部和第二接触部,其中第一导线接触第一接触部,第二导线接触第二接触部,并且所述空隙的下边界由所述基底的所述绝缘介电体限定。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其中第一接触部是源极区接触部,并且第二接触部是漏极区接触部。
8.根据权利要求6所述的集成电路,其中第一接触部或第二接触部中的一个是栅极接触部。
9.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的集成电路,其中所述多个导线包括至少五个导线,其中所述至少五个导线的每对相邻线在其间限定空隙。
10.一种集成电路,包括:
层,其包括绝缘介电体;
第一导线,其在所述层上方垂直延伸;
第二导线,其与第一导线相邻并且在所述层上方垂直延伸,第二导线通过在第一导线与第二导线之间的空隙而与第一导线间隔;以及
绝缘材料盖体,其限定所述空隙的上边界,所述盖体至少部分地与第一导线和第二导线中的一个或二者横向相邻;
其中所述空隙横向位于第一导线与第二导线之间,并且所述空隙垂直位于所述绝缘材料盖体与所述层之间。
11.根据权利要求10所述的集成电路,其中第一导线的第一垂直高度不同于第二导线的第二垂直高度。
12.根据权利要求10所述的集成电路,其中第一导线与第二导线横向间隔不多于30nm。
13.根据权利要求10所述的集成电路,进一步包括与第一导线的上端和第二导线的上端中的至少一个接触的导电通孔,其中所述空隙的一部分沿着所述导电通孔的部分延伸。
14.根据权利要求10所述的集成电路,其中所述空隙是第一空隙,所述集成电路进一步包括:
第三导线,其在所述绝缘介电体上方垂直延伸并且通过第二空隙而与第二导线间隔;以及
导电通孔,其与第三导线的上端接触。
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