[发明专利]一种硅铝硅键合片的台面二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以硅-铝-硅型半导体单晶片为基片，在其上形成势垒层，再形成金属阳极，边缘造型为台面结构，以聚酰亚胺进行台面保护。

2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，采用的基片为三层结构，中间为金属铝，上下为单晶硅。芯片边缘造型为台面型，台面的深度深过芯片层和铝层。

3.一种肖特基势垒二极管的制备方法，其步骤包括：先通过对三层硅-铝-硅层进行合金，，对芯片层进行减薄抛光。然后进行金属势垒及电极形成，光刻腐蚀台面，接着进行聚酰亚胺涂敷和光刻，固化及背面金属形成。

4.根据权利要求3所述的肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，铝硅合金温度高于铝硅共晶温度577℃，后续的芯片制作中所用的温度都低于577℃。

5.根据权利要求3所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，台面腐蚀采用多步腐蚀，腐蚀正面金属-腐蚀硅-腐蚀铝-腐蚀硅。