[发明专利]沉积装置以及利用该沉积装置的基板处理方法

权利要求书

1.一种沉积装置，具备：

腔体；

导电性的销，位于所述腔体内，且上下延伸；

导电性的基座，位于所述腔体内，且具有所述销通过的贯通开口；以及

导电性的套管，位于所述基座的所述贯通开口内且被固定成与所述基座电连接，并且具有所述销通过的贯通孔，且还具有与所述销接触的导电性的接触部。

2.根据权利要求1所述的沉积装置，还具备：

移动部(mover)，能够使所述基座和所述套管相对于所述销相对地上下移动。

3.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，

所述接触部包括与所述销接触的辊。

4.根据权利要求3所述的沉积装置，其中，

所述辊在所述基座相对于所述销相对地进行移动时以与所述销接触的状态旋转。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积装置，其中，

通过所述套管和所述接触部，电连接所述销和所述基座。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积装置，其中，

所述销包含的物质的热膨胀系数小于所述基座包含的物质的热膨胀系数。

7.根据权利要求6所述的沉积装置，其中，

所述基座包含铝，所述销包含导电性陶瓷。

8.根据权利要求7所述的沉积装置，其中，

所述套管和所述接触部包含导电性陶瓷。

9.一种基板处理方法，包括：

将配置有基板的末端执行器(end effector)设于权利要求1至8中任一项所述的沉积装置的所述腔体内的步骤；

在所述套管的所述接触部与所述销接触的状态下，使所述套管和所述基座相对于所述销相对地下降的步骤；

使所述末端执行器下降来将所述基板传递至所述销上的步骤；

使所述末端执行器返回至所述腔体的外部的步骤；

在所述套管的所述接触部与所述销接触的状态下，使所述套管和所述基座相对于所述销相对地上升，从而将所述基板安置于所述基座的基板安置面上的步骤；以及

在所述基板上形成薄膜的步骤。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，

形成所述薄膜的步骤是在向所述基座施加电信号的状态下形成所述薄膜的步骤。