[发明专利]沉积装置以及利用该沉积装置的基板处理方法

说明书

本发明提供可降低基板处理中的不良发生率的沉积装置以及利用该沉积装置的基板处理方法，沉积装置具备：腔体；导电性的销，位于所述腔体内，且上下延伸；导电性的基座，位于所述腔体内，且具有所述销通过的贯通开口；以及导电性的套管，位于所述基座的所述贯通开口内且被固定成与所述基座电连接，并且具有所述销通过的贯通孔，且还具有与所述销接触的导电性的接触部。

技术领域

本发明的各实施例涉及沉积装置(Deposition apparatus)以及利用该沉积装置的基板处理方法，更详细而言，涉及可在基板处理中降低不良发生率的沉积装置以及利用该沉积装置的基板处理方法。

背景技术

在制造半导体装置或显示装置等的过程中形成薄膜时，一般使用化学气相沉积法(CVD：Chemical Vapor Deposition)。化学气相沉积法是使气体状态的混合物在加热的基板表面发生化学反应来将生成物沉积到基板表面的技术。化学气相沉积法根据用作前体(precursor)的物质的种类、工序中的压力以及反应所需的能量传递方式等，分为APCVD(Atmospheric CVD，常压化学气相沉积)、LPCVD(Low Pressure CVD，低压化学气相沉积)、PECVD(Plasma Enhanced CVD，等离子体增强化学气相沉积)以及MOCVD(Metal OrganicCVD，金属有机化合物化学气相沉积)法等。

但是，这种现有技术中的化学气相沉积法存在无法均匀地形成在基板上所形成的薄膜的问题。

发明内容

本发明用于解决包括如上所述的问题在内的各种问题，目的在于提供一种可在基板处理中降低不良发生率的沉积装置以及利用该沉积装置的基板处理方法。但是，这些课题只是例示，并不由这些课题限定本发明的范围。

根据本发明的一观点，提供一种沉积装置，具备：腔体；导电性的销，位于所述腔体内，且上下延伸；导电性的基座，位于所述腔体内，且具有所述销通过的贯通开口；以及导电性的套管，位于所述基座的所述贯通开口内且被固定成与所述基座电连接，并且具有所述销通过的贯通孔，且还具有与所述销接触的导电性的接触部。

还可具备：移动部(mover)，能够使所述基座和所述套管相对于所述销相对地上下移动。

所述接触部可包括与所述销接触的辊。所述辊可在所述基座相对于所述销相对地进行移动时以与所述销接触的状态旋转。

可通过所述套管和所述接触部，电连接所述销和所述基座。

所述销包含的物质的热膨胀系数可小于所述基座包含的物质的热膨胀系数。

所述基座可包含铝，所述销可包含导电性陶瓷。

所述套管和所述接触部可包含导电性陶瓷。

根据本发明的其他观点，提供一种基板处理方法，包括：将配置有基板的末端执行器(end effector)设于上述的各沉积装置中的任一腔体内的步骤；在所述套管的所述接触部与所述销接触的状态下，使所述套管和所述基座相对于所述销相对地下降的步骤；使所述末端执行器下降来将所述基板传递至所述销上的步骤；使所述末端执行器返回至所述腔体的外部的步骤；在所述套管的所述接触部与所述销接触的状态下，使所述套管和所述基座相对于所述销相对地上升，从而将所述基板安置于所述基座的基板安置面上的步骤；以及在所述基板上形成薄膜的步骤。

所述的安置的步骤可以是使所述套管和所述基座相对于所述销相对地上升，使得所述销的上表面与所述基座的所述基板安置面的上表面一致，从而在所述基座上安置所述基板的步骤。

形成所述薄膜的步骤可以是在向所述基座施加电信号的状态下形成所述薄膜的步骤。

除了以上所述的其他侧面、特征、优点会通过以下的具体实施方式、权利要求书以及附图而变得更加明确。

(发明效果)